N-Channel MOSFET, 25 A, 250 V, 3-Pin DPAK Infineon IPD600N25N3GATMA1

Код товара RS: 171-1948Бренд: InfineonПарт-номер производителя: IPD600N25N3GATMA1
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

25 А

Максимальное напряжение сток-исток

250 В

Серия

IPD600N25N3 G

Тип корпуса

DPAK (TO-252)

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

60 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

4V

Минимальное пороговое напряжение включения

2V

Максимальное рассеяние мощности

136 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

20 В

Ширина

7.47мм

Количество элементов на ИС

1

Максимальная рабочая температура

+175 °C

Длина

6.73мм

Типичный заряд затвора при Vgs

22 нКл при 10 В

Высота

2.41мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Прямое напряжение диода

1.2V

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

N-Channel MOSFET, 25 A, 250 V, 3-Pin DPAK Infineon IPD600N25N3GATMA1
Select packaging type

P.O.A.

N-Channel MOSFET, 25 A, 250 V, 3-Pin DPAK Infineon IPD600N25N3GATMA1
Информация о наличии не успела загрузиться
Select packaging type

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

25 А

Максимальное напряжение сток-исток

250 В

Серия

IPD600N25N3 G

Тип корпуса

DPAK (TO-252)

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

60 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

4V

Минимальное пороговое напряжение включения

2V

Максимальное рассеяние мощности

136 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

20 В

Ширина

7.47мм

Количество элементов на ИС

1

Максимальная рабочая температура

+175 °C

Длина

6.73мм

Типичный заряд затвора при Vgs

22 нКл при 10 В

Высота

2.41мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Прямое напряжение диода

1.2V