Infineon OptiMOS P P-Channel MOSFET, 50 A, 40 V, 3-Pin DPAK IPD50P04P413ATMA1
Техническая документация
Характеристики
Brand
InfineonТип канала
P
Максимальный непрерывный ток стока
50 A
Максимальное напряжение сток-исток
40 В
Серия
OptiMOS P
Тип корпуса
DPAK (TO-252)
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
12,6 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
2.2V
Минимальное пороговое напряжение включения
1.2V
Максимальное рассеяние мощности
58 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Ширина
6.22мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Длина
6.5мм
Типичный заряд затвора при Vgs
39 нКл при 10 В
Максимальная рабочая температура
+175 °C
Высота
2.3мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Информация о товаре
Infineon OptiMOS™P P-Channel Power MOSFETs
The Infineon OptiMOS™ P-Channel power MOSFETs are designed to give enhanced features meeting quality performances. Features include ultra-low switching loss, on-state resistance, Avalanche ratings as well as being AEC qualified for automotive solutions. Applications include dc-dc, motor control, automotive and eMobility.
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
тг 6 146,25
тг 245,85 Each (In a Pack of 25) (ex VAT)
Стандартная упаковка
25
тг 6 146,25
тг 245,85 Each (In a Pack of 25) (ex VAT)
Стандартная упаковка
25
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
| Количество | Цена единицы | Per Упаковка |
|---|---|---|
| 25 - 100 | тг 245,85 | тг 6 146,25 |
| 125 - 600 | тг 160,92 | тг 4 023,00 |
| 625 - 1475 | тг 143,04 | тг 3 576,00 |
| 1500 - 3100 | тг 134,10 | тг 3 352,50 |
| 3125+ | тг 134,10 | тг 3 352,50 |
Техническая документация
Характеристики
Brand
InfineonТип канала
P
Максимальный непрерывный ток стока
50 A
Максимальное напряжение сток-исток
40 В
Серия
OptiMOS P
Тип корпуса
DPAK (TO-252)
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
12,6 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
2.2V
Минимальное пороговое напряжение включения
1.2V
Максимальное рассеяние мощности
58 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Ширина
6.22мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Длина
6.5мм
Типичный заряд затвора при Vgs
39 нКл при 10 В
Максимальная рабочая температура
+175 °C
Высота
2.3мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Информация о товаре
Infineon OptiMOS™P P-Channel Power MOSFETs
The Infineon OptiMOS™ P-Channel power MOSFETs are designed to give enhanced features meeting quality performances. Features include ultra-low switching loss, on-state resistance, Avalanche ratings as well as being AEC qualified for automotive solutions. Applications include dc-dc, motor control, automotive and eMobility.
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.