Infineon IPD50N10S3L16ATMA1 MOSFET

Brand

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

50 A

Максимальное напряжение сток-исток

100 В

Тип корпуса

TO-252

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3 + 2 Tab

Максимальное сопротивление сток-исток

19,9 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

2.4V

Минимальное пороговое напряжение включения

1.2V

Максимальное рассеяние мощности

100 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

20 В

Ширина

7.22мм

Количество элементов на ИС

1

Типичный заряд затвора при Vgs

49 нКл при 10 В

Максимальная рабочая температура

+175 °C

Длина

6.5мм

Высота

2.3мм

Серия

IPD50N10S3L-16

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Прямое напряжение диода

1.2V

Автомобильный стандарт

AEC-Q101