Infineon OptiMOS™ 2 N-Channel MOSFET, 27 A, 100 V, 3-Pin DPAK IPD33CN10NGATMA1

Код товара RS: 215-2506Бренд: InfineonПарт-номер производителя: IPD33CN10NGATMA1
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

27 A

Максимальное напряжение сток-исток

100 В

Тип корпуса

DPAK (TO-252)

Серия

OptiMOS 2

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

0.033 Ω

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

4V

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

1

P.O.A.

Each (In a Pack of 20) (ex VAT)

Infineon OptiMOS™ 2 N-Channel MOSFET, 27 A, 100 V, 3-Pin DPAK IPD33CN10NGATMA1
Select packaging type

P.O.A.

Each (In a Pack of 20) (ex VAT)

Infineon OptiMOS™ 2 N-Channel MOSFET, 27 A, 100 V, 3-Pin DPAK IPD33CN10NGATMA1

Информация о наличии не успела загрузиться

Select packaging type

Информация о наличии не успела загрузиться

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

27 A

Максимальное напряжение сток-исток

100 В

Тип корпуса

DPAK (TO-252)

Серия

OptiMOS 2

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

0.033 Ω

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

4V

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

1