Infineon IPD25CN10NGATMA1 MOSFET

Brand

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

35 A

Максимальное напряжение сток-исток

100 В

Тип корпуса

DPAK (TO-252)

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

26 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

4V

Минимальное пороговое напряжение включения

2V

Максимальное рассеяние мощности

71 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

20 В

Ширина

7.47мм

Количество элементов на ИС

1

Типичный заряд затвора при Vgs

23 нКл при 10 В

Максимальная рабочая температура

+175 °C

Длина

6.73мм

Высота

2.41мм

Серия

IPD25CN10N G

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Прямое напряжение диода

1.2V