N-Channel MOSFET, 50 A, 150 V, 3-Pin DPAK Infineon IPD200N15N3GATMA1

Код товара RS: 171-1945Бренд: InfineonПарт-номер производителя: IPD200N15N3GATMA1
brand-logo
View all in МОП-транзисторы

Техническая документация

Характеристики

Brand

Infineon

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

50 A

Максимальное напряжение сток-исток

150 В

Тип корпуса

DPAK (TO-252)

Серия

IPD200N15N3 G

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

20 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

4V

Минимальное пороговое напряжение включения

2V

Максимальное рассеяние мощности

150 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

20 В

Длина

10.36мм

Типичный заряд затвора при Vgs

23 нКл при 10 В

Максимальная рабочая температура

+175 °C

Ширина

9.45мм

Количество элементов на ИС

1

Прямое напряжение диода

1.2V

Высота

4.57мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

N-Channel MOSFET, 50 A, 150 V, 3-Pin DPAK Infineon IPD200N15N3GATMA1
Select packaging type

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 10.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 10.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

10

Доступно в кратности 10
10P.O.A.
20P.O.A.
30P.O.A.
40P.O.A.
50P.O.A.
60P.O.A.
70P.O.A.
80P.O.A.
90P.O.A.
100P.O.A.
110P.O.A.
120P.O.A.
130P.O.A.
140P.O.A.
150P.O.A.

P.O.A.

N-Channel MOSFET, 50 A, 150 V, 3-Pin DPAK Infineon IPD200N15N3GATMA1
Информация о наличии не успела загрузиться
Select packaging type

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 10.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 10.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

10

Доступно в кратности 10
10P.O.A.
20P.O.A.
30P.O.A.
40P.O.A.
50P.O.A.
60P.O.A.
70P.O.A.
80P.O.A.
90P.O.A.
100P.O.A.
110P.O.A.
120P.O.A.
130P.O.A.
140P.O.A.
150P.O.A.

Техническая документация

Характеристики

Brand

Infineon

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

50 A

Максимальное напряжение сток-исток

150 В

Тип корпуса

DPAK (TO-252)

Серия

IPD200N15N3 G

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

20 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

4V

Минимальное пороговое напряжение включения

2V

Максимальное рассеяние мощности

150 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

20 В

Длина

10.36мм

Типичный заряд затвора при Vgs

23 нКл при 10 В

Максимальная рабочая температура

+175 °C

Ширина

9.45мм

Количество элементов на ИС

1

Прямое напряжение диода

1.2V

Высота

4.57мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C