Infineon IPD200N15N3GATMA1 MOSFET

Brand

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

50 A

Максимальное напряжение сток-исток

150 В

Серия

IPD200N15N3 G

Тип корпуса

DPAK (TO-252)

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

20 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

4V

Минимальное пороговое напряжение включения

2V

Максимальное рассеяние мощности

150 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

20 В

Ширина

9.45мм

Количество элементов на ИС

1

Максимальная рабочая температура

+175 °C

Длина

10.36мм

Типичный заряд затвора при Vgs

23 нКл при 10 В

Высота

4.57мм

Прямое напряжение диода

1.2V

Минимальная рабочая температура

-55 °C