Infineon OptiMOS™ 3 N-Channel MOSFET, 90 A, 80 V, 3-Pin DPAK IPD053N08N3GATMA1

Код товара RS: 171-1937PБренд: InfineonПарт-номер производителя: IPD053N08N3GATMA1
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

90 A

Максимальное напряжение сток-исток

80 V

Серия

OptiMOS 3

Тип корпуса

TO-252

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

9,5 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

3.5V

Минимальное пороговое напряжение включения

2V

Максимальное рассеяние мощности

150 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

20 В

Ширина

7.36мм

Количество элементов на ИС

1

Длина

6.73мм

Типичный заряд затвора при Vgs

52 нКл при 10 В

Максимальная рабочая температура

+175 °C

Высота

2.41мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Прямое напряжение диода

1.2V

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

Each (Supplied on a Reel) (ex VAT)

Infineon OptiMOS™ 3 N-Channel MOSFET, 90 A, 80 V, 3-Pin DPAK IPD053N08N3GATMA1
Select packaging type

P.O.A.

Each (Supplied on a Reel) (ex VAT)

Infineon OptiMOS™ 3 N-Channel MOSFET, 90 A, 80 V, 3-Pin DPAK IPD053N08N3GATMA1
Информация о наличии не успела загрузиться
Select packaging type

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

90 A

Максимальное напряжение сток-исток

80 V

Серия

OptiMOS 3

Тип корпуса

TO-252

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

9,5 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

3.5V

Минимальное пороговое напряжение включения

2V

Максимальное рассеяние мощности

150 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

20 В

Ширина

7.36мм

Количество элементов на ИС

1

Длина

6.73мм

Типичный заряд затвора при Vgs

52 нКл при 10 В

Максимальная рабочая температура

+175 °C

Высота

2.41мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Прямое напряжение диода

1.2V