N-Channel MOSFET, 80 A, 30 V, 3-Pin D2PAK Infineon IPB80N03S4L03ATMA1

Код товара RS: 892-2191Бренд: InfineonПарт-номер производителя: IPB80N03S4L03ATMA1
brand-logo
Просмотреть все в МОП-транзисторы

Техническая документация

Характеристики

Brand

Infineon

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

80 A

Максимальное напряжение сток-исток

30 В

Тип корпуса

D2PAK (TO-263)

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

5 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

2.2V

Минимальное пороговое напряжение включения

1V

Максимальное рассеяние мощности

94 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-16 В, +16 В

Количество элементов на ИС

1

Максимальная рабочая температура

+175 °C

Длина

10.31мм

Типичный заряд затвора при Vgs

60 нКл при 10 В

Ширина

9.45мм

Материал транзистора

Кремний

Серия

OptiMOS T2

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Прямое напряжение диода

1.3V

Высота

4.572мм

Информация о товаре

Infineon OptiMOS™ T2 Power MOSFETs

Infineon’s new OptiMOS ™ -T2 has a range of energy efficient MOSFET transistors with CO2 reduction and electric drives. The new OptiMOS™ -T2 product family extends the existing families of OptiMOS™ -T and OptiMOS™.

OptiMOS™ products are available in high performance packages to tackle the most challenging applications giving full flexibility in limited spaces. These Infineon products are designed to meet and exceed the energy efficiency and power density requirements of the sharpened next generation voltage regulation standards in computing applications.

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

тг 4 559,40

тг 227,97 Each (In a Pack of 20) (ex VAT)

N-Channel MOSFET, 80 A, 30 V, 3-Pin D2PAK Infineon IPB80N03S4L03ATMA1
Select packaging type

Стандартная упаковка

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 20.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 20.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

20

Доступно в кратности 20
20тг 4 559,40
40тг 9 118,80
60тг 13 678,20
80тг 18 237,60
100тг 19 668,00
120тг 23 601,60
140тг 27 535,20
160тг 31 468,80
180тг 35 402,40
200тг 39 336,00
220тг 43 269,60
240тг 47 203,20
260тг 51 136,80
280тг 55 070,40
300тг 59 004,00

тг 4 559,40

тг 227,97 Each (In a Pack of 20) (ex VAT)

N-Channel MOSFET, 80 A, 30 V, 3-Pin D2PAK Infineon IPB80N03S4L03ATMA1

Информация о наличии не успела загрузиться

Select packaging type

Стандартная упаковка

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 20.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 20.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

20

Доступно в кратности 20
20тг 4 559,40
40тг 9 118,80
60тг 13 678,20
80тг 18 237,60
100тг 19 668,00
120тг 23 601,60
140тг 27 535,20
160тг 31 468,80
180тг 35 402,40
200тг 39 336,00
220тг 43 269,60
240тг 47 203,20
260тг 51 136,80
280тг 55 070,40
300тг 59 004,00

Информация о наличии не успела загрузиться

КоличествоЦена единицыPer Упаковка
20 - 80тг 227,97тг 4 559,40
100 - 480тг 196,68тг 3 933,60
500 - 980тг 174,33тг 3 486,60
1000 - 2480тг 169,86тг 3 397,20
2500+тг 165,39тг 3 307,80

Техническая документация

Характеристики

Brand

Infineon

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

80 A

Максимальное напряжение сток-исток

30 В

Тип корпуса

D2PAK (TO-263)

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

5 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

2.2V

Минимальное пороговое напряжение включения

1V

Максимальное рассеяние мощности

94 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-16 В, +16 В

Количество элементов на ИС

1

Максимальная рабочая температура

+175 °C

Длина

10.31мм

Типичный заряд затвора при Vgs

60 нКл при 10 В

Ширина

9.45мм

Материал транзистора

Кремний

Серия

OptiMOS T2

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Прямое напряжение диода

1.3V

Высота

4.572мм

Информация о товаре

Infineon OptiMOS™ T2 Power MOSFETs

Infineon’s new OptiMOS ™ -T2 has a range of energy efficient MOSFET transistors with CO2 reduction and electric drives. The new OptiMOS™ -T2 product family extends the existing families of OptiMOS™ -T and OptiMOS™.

OptiMOS™ products are available in high performance packages to tackle the most challenging applications giving full flexibility in limited spaces. These Infineon products are designed to meet and exceed the energy efficiency and power density requirements of the sharpened next generation voltage regulation standards in computing applications.

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.