Infineon IPB60R165CPATMA1 MOSFET

Код товара RS: 825-9178Бренд: InfineonПарт-номер производителя: IPB60R165CPATMA1
brand-logo
Просмотреть все в МОП-транзисторы

Техническая документация

Характеристики

Brand

Infineon

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

21 A

Максимальное напряжение сток-исток

650 В

Тип корпуса

D2PAK (TO-263)

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

165 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

3.5V

Минимальное пороговое напряжение включения

2.5V

Максимальное рассеяние мощности

192 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-30 В, +30 В

Типичный заряд затвора при Vgs

39 нКл при 10 В

Ширина

9.45мм

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

1

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Длина

10.31мм

Высота

4.572мм

Серия

CoolMOS CP

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Информация о товаре

Infineon CoolMOS™CP Power MOSFET

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

тг 7 844,85

тг 1 568,97 Each (In a Pack of 5) (ex VAT)

Infineon IPB60R165CPATMA1 MOSFET
Select packaging type

Стандартная упаковка

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 5.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 5.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

5

Доступно в кратности 5
5тг 7 844,85
10тг 15 689,70
15тг 23 534,55
20тг 31 379,40
25тг 39 224,25
30тг 47 069,10
35тг 54 913,95
40тг 62 758,80
45тг 70 603,65
50тг 78 448,50
55тг 86 293,35
60тг 94 138,20
65тг 101 983,05
70тг 109 827,90
75тг 117 672,75

тг 7 844,85

тг 1 568,97 Each (In a Pack of 5) (ex VAT)

Infineon IPB60R165CPATMA1 MOSFET

Информация о наличии не успела загрузиться

Select packaging type

Стандартная упаковка

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 5.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 5.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

5

Доступно в кратности 5
5тг 7 844,85
10тг 15 689,70
15тг 23 534,55
20тг 31 379,40
25тг 39 224,25
30тг 47 069,10
35тг 54 913,95
40тг 62 758,80
45тг 70 603,65
50тг 78 448,50
55тг 86 293,35
60тг 94 138,20
65тг 101 983,05
70тг 109 827,90
75тг 117 672,75

Информация о наличии не успела загрузиться

КоличествоЦена единицыPer Упаковка
5 - 95тг 1 568,97тг 7 844,85
100 - 245тг 1 148,79тг 5 743,95
250 - 495тг 1 037,04тг 5 185,20
500 - 995тг 983,40тг 4 917,00
1000+тг 961,05тг 4 805,25

Техническая документация

Характеристики

Brand

Infineon

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

21 A

Максимальное напряжение сток-исток

650 В

Тип корпуса

D2PAK (TO-263)

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

165 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

3.5V

Минимальное пороговое напряжение включения

2.5V

Максимальное рассеяние мощности

192 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-30 В, +30 В

Типичный заряд затвора при Vgs

39 нКл при 10 В

Ширина

9.45мм

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

1

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Длина

10.31мм

Высота

4.572мм

Серия

CoolMOS CP

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Информация о товаре

Infineon CoolMOS™CP Power MOSFET

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.