Infineon IPB60R160P6ATMA1 MOSFET

Код товара RS: 130-0894Бренд: InfineonПарт-номер производителя: IPB60R160P6ATMA1
brand-logo
View all in МОП-транзисторы

Техническая документация

Характеристики

Brand

Infineon

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

23.8 A

Максимальное напряжение сток-исток

650 В

Тип корпуса

D2PAK (TO-263)

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

160 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

4.5V

Минимальное пороговое напряжение включения

3.5V

Максимальное рассеяние мощности

176 Вт

Максимальное напряжение затвор-исток

-30 В, +30 В

Ширина

4.57мм

Количество элементов на ИС

1

Длина

10.31мм

Типичный заряд затвора при Vgs

44 нКл при 10 В

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Высота

9.45мм

Серия

CoolMOS P6

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Прямое напряжение диода

0.9V

Информация о товаре

Infineon CoolMOS™E6/P6 series Power MOSFET

The Infineon range of CoolMOS™E6 and P6 series MOSFETs. These highly efficient devices can be used in several applications including Power Factor Correction (PFC), lighting and consumer devices as well as solar, telecoms and servers.

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

Infineon IPB60R160P6ATMA1 MOSFET
Select packaging type

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 2.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 2.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

2

Доступно в кратности 2
2P.O.A.
4P.O.A.
6P.O.A.
8P.O.A.
10P.O.A.
12P.O.A.
14P.O.A.
16P.O.A.
18P.O.A.
20P.O.A.
22P.O.A.
24P.O.A.
26P.O.A.
28P.O.A.
30P.O.A.

P.O.A.

Infineon IPB60R160P6ATMA1 MOSFET
Информация о наличии не успела загрузиться
Select packaging type

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 2.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 2.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

2

Доступно в кратности 2
2P.O.A.
4P.O.A.
6P.O.A.
8P.O.A.
10P.O.A.
12P.O.A.
14P.O.A.
16P.O.A.
18P.O.A.
20P.O.A.
22P.O.A.
24P.O.A.
26P.O.A.
28P.O.A.
30P.O.A.

Техническая документация

Характеристики

Brand

Infineon

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

23.8 A

Максимальное напряжение сток-исток

650 В

Тип корпуса

D2PAK (TO-263)

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

160 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

4.5V

Минимальное пороговое напряжение включения

3.5V

Максимальное рассеяние мощности

176 Вт

Максимальное напряжение затвор-исток

-30 В, +30 В

Ширина

4.57мм

Количество элементов на ИС

1

Длина

10.31мм

Типичный заряд затвора при Vgs

44 нКл при 10 В

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Высота

9.45мм

Серия

CoolMOS P6

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Прямое напряжение диода

0.9V

Информация о товаре

Infineon CoolMOS™E6/P6 series Power MOSFET

The Infineon range of CoolMOS™E6 and P6 series MOSFETs. These highly efficient devices can be used in several applications including Power Factor Correction (PFC), lighting and consumer devices as well as solar, telecoms and servers.

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.