Infineon CoolMOS™ P6 N-Channel MOSFET, 23.8 A, 650 V, 3-Pin D2PAK IPB60R160P6ATMA1

Код товара RS: 168-5906Бренд: InfineonПарт-номер производителя: IPB60R160P6ATMA1
brand-logo
Просмотреть все в МОП-транзисторы

Техническая документация

Характеристики

Brand

Infineon

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

23.8 A

Максимальное напряжение сток-исток

650 В

Тип корпуса

D2PAK (TO-263)

Серия

CoolMOS P6

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

160 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

4.5V

Минимальное пороговое напряжение включения

3.5V

Максимальное рассеяние мощности

176 Вт

Максимальное напряжение затвор-исток

-30 В, +30 В

Длина

10.31мм

Типичный заряд затвора при Vgs

44 нКл при 10 В

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Количество элементов на ИС

1

Ширина

4.57мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Прямое напряжение диода

0.9V

Высота

9.45мм

Страна происхождения

China

Информация о товаре

Infineon CoolMOS™E6/P6 series Power MOSFET

The Infineon range of CoolMOS™E6 and P6 series MOSFETs. These highly efficient devices can be used in several applications including Power Factor Correction (PFC), lighting and consumer devices as well as solar, telecoms and servers.

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

Infineon CoolMOS™ P6 N-Channel MOSFET, 23.8 A, 650 V, 3-Pin D2PAK IPB60R160P6ATMA1

1

Доступно в кратности 1000
1P.O.A.
1001P.O.A.
2001P.O.A.
3001P.O.A.
4001P.O.A.
5001P.O.A.
6001P.O.A.
7001P.O.A.
8001P.O.A.
9001P.O.A.
10001P.O.A.
11001P.O.A.
12001P.O.A.
13001P.O.A.
14001P.O.A.

P.O.A.

Infineon CoolMOS™ P6 N-Channel MOSFET, 23.8 A, 650 V, 3-Pin D2PAK IPB60R160P6ATMA1
Информация о наличии не успела загрузиться

1

Доступно в кратности 1000
1P.O.A.
1001P.O.A.
2001P.O.A.
3001P.O.A.
4001P.O.A.
5001P.O.A.
6001P.O.A.
7001P.O.A.
8001P.O.A.
9001P.O.A.
10001P.O.A.
11001P.O.A.
12001P.O.A.
13001P.O.A.
14001P.O.A.

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Техническая документация

Характеристики

Brand

Infineon

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

23.8 A

Максимальное напряжение сток-исток

650 В

Тип корпуса

D2PAK (TO-263)

Серия

CoolMOS P6

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

160 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

4.5V

Минимальное пороговое напряжение включения

3.5V

Максимальное рассеяние мощности

176 Вт

Максимальное напряжение затвор-исток

-30 В, +30 В

Длина

10.31мм

Типичный заряд затвора при Vgs

44 нКл при 10 В

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Количество элементов на ИС

1

Ширина

4.57мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Прямое напряжение диода

0.9V

Высота

9.45мм

Страна происхождения

China

Информация о товаре

Infineon CoolMOS™E6/P6 series Power MOSFET

The Infineon range of CoolMOS™E6 and P6 series MOSFETs. These highly efficient devices can be used in several applications including Power Factor Correction (PFC), lighting and consumer devices as well as solar, telecoms and servers.

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.