Infineon IPB320N20N3GATMA1 МОП-транзистор (MOSFET)

Код товара RS: 911-4868Бренд: InfineonПарт-номер производителя: IPB320N20N3GATMA1
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

34 A

Максимальное напряжение сток-исток

200 В

Тип корпуса

D2PAK (TO-263)

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

32 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

4V

Минимальное пороговое напряжение включения

2V

Максимальное рассеяние мощности

136 Вт

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Ширина

9.45мм

Количество элементов на ИС

1

Максимальная рабочая температура

+175 °C

Длина

10.31мм

Типичный заряд затвора при Vgs

22 нКл при 10 В

Высота

4.57мм

Серия

OptiMOS 3

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Страна происхождения

Germany

Информация о товаре

Infineon OptiMOS™3 Power MOSFETs, 100V and over

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

Infineon IPB320N20N3GATMA1 МОП-транзистор (MOSFET)

P.O.A.

Infineon IPB320N20N3GATMA1 МОП-транзистор (MOSFET)
Информация о наличии не успела загрузиться

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

34 A

Максимальное напряжение сток-исток

200 В

Тип корпуса

D2PAK (TO-263)

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

32 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

4V

Минимальное пороговое напряжение включения

2V

Максимальное рассеяние мощности

136 Вт

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Ширина

9.45мм

Количество элементов на ИС

1

Максимальная рабочая температура

+175 °C

Длина

10.31мм

Типичный заряд затвора при Vgs

22 нКл при 10 В

Высота

4.57мм

Серия

OptiMOS 3

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Страна происхождения

Germany

Информация о товаре

Infineon OptiMOS™3 Power MOSFETs, 100V and over

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.