Infineon IPB320N20N3GATMA1 MOSFET

Код товара RS: 752-8344Бренд: InfineonПарт-номер производителя: IPB320N20N3GATMA1
brand-logo
Просмотреть все в МОП-транзисторы

Техническая документация

Характеристики

Brand

Infineon

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

34 A

Максимальное напряжение сток-исток

200 В

Серия

OptiMOS 3

Тип корпуса

D2PAK (TO-263)

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

32 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

4V

Минимальное пороговое напряжение включения

2V

Максимальное рассеяние мощности

136 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Типичный заряд затвора при Vgs

22 нКл при 10 В

Ширина

9.45мм

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

1

Длина

10.31мм

Максимальная рабочая температура

+175 °C

Высота

4.57мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Информация о товаре

Infineon OptiMOS™3 Power MOSFETs, 100V and over

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

тг 782,25

тг 782,25 Each (ex VAT)

Infineon IPB320N20N3GATMA1 MOSFET
Select packaging type

Стандартная упаковка

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 1.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 1.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

1

Доступно в кратности 1
1тг 782,25
2тг 1 564,50
3тг 2 346,75
4тг 3 129,00
5тг 3 911,25
6тг 4 693,50
7тг 5 475,75
8тг 6 258,00
9тг 7 040,25
10тг 7 822,50
11тг 8 604,75
12тг 9 387,00
13тг 10 169,25
14тг 10 951,50
15тг 11 733,75

тг 782,25

тг 782,25 Each (ex VAT)

Infineon IPB320N20N3GATMA1 MOSFET

Информация о наличии не успела загрузиться

Select packaging type

Стандартная упаковка

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 1.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 1.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

1

Доступно в кратности 1
1тг 782,25
2тг 1 564,50
3тг 2 346,75
4тг 3 129,00
5тг 3 911,25
6тг 4 693,50
7тг 5 475,75
8тг 6 258,00
9тг 7 040,25
10тг 7 822,50
11тг 8 604,75
12тг 9 387,00
13тг 10 169,25
14тг 10 951,50
15тг 11 733,75

Информация о наличии не успела загрузиться

КоличествоЦена единицы
1 - 24тг 782,25
25 - 99тг 710,73
100 - 499тг 648,15
500 - 999тг 540,87
1000+тг 500,64

Техническая документация

Характеристики

Brand

Infineon

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

34 A

Максимальное напряжение сток-исток

200 В

Серия

OptiMOS 3

Тип корпуса

D2PAK (TO-263)

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

32 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

4V

Минимальное пороговое напряжение включения

2V

Максимальное рассеяние мощности

136 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Типичный заряд затвора при Vgs

22 нКл при 10 В

Ширина

9.45мм

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

1

Длина

10.31мм

Максимальная рабочая температура

+175 °C

Высота

4.57мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Информация о товаре

Infineon OptiMOS™3 Power MOSFETs, 100V and over

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.