Infineon IPB200N15N3GATMA1 MOSFET

Код товара RS: 754-5443Бренд: InfineonПарт-номер производителя: IPB200N15N3GATMA1
brand-logo
Просмотреть все в МОП-транзисторы

Техническая документация

Характеристики

Brand

Infineon

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

50 A

Максимальное напряжение сток-исток

150 В

Тип корпуса

D2PAK (TO-263)

Серия

OptiMOS 3

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

20 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

4V

Минимальное пороговое напряжение включения

2V

Максимальное рассеяние мощности

150 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Количество элементов на ИС

1

Длина

10.31мм

Максимальная рабочая температура

+175 °C

Типичный заряд затвора при Vgs

23 нКл при 10 В

Ширина

9.45мм

Материал транзистора

Кремний

Высота

4.57мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Информация о товаре

Infineon OptiMOS™3 Power MOSFETs, 100V and over

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

тг 1 627,08

тг 813,54 Each (In a Pack of 2) (ex VAT)

Infineon IPB200N15N3GATMA1 MOSFET
Select packaging type

Стандартная упаковка

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 2.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 2.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

2

Доступно в кратности 2
2тг 1 627,08
4тг 3 254,16
6тг 4 881,24
8тг 6 508,32
10тг 8 135,40
12тг 9 762,48
14тг 11 389,56
16тг 13 016,64
18тг 14 643,72
20тг 16 270,80
22тг 17 897,88
24тг 19 524,96
26тг 21 152,04
28тг 22 779,12
30тг 24 406,20

тг 1 627,08

тг 813,54 Each (In a Pack of 2) (ex VAT)

Infineon IPB200N15N3GATMA1 MOSFET

Информация о наличии не успела загрузиться

Select packaging type

Стандартная упаковка

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 2.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 2.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

2

Доступно в кратности 2
2тг 1 627,08
4тг 3 254,16
6тг 4 881,24
8тг 6 508,32
10тг 8 135,40
12тг 9 762,48
14тг 11 389,56
16тг 13 016,64
18тг 14 643,72
20тг 16 270,80
22тг 17 897,88
24тг 19 524,96
26тг 21 152,04
28тг 22 779,12
30тг 24 406,20

Информация о наличии не успела загрузиться

КоличествоЦена единицыPer Упаковка
2 - 48тг 813,54тг 1 627,08
50 - 198тг 657,09тг 1 314,18
200 - 998тг 522,99тг 1 045,98
1000 - 1998тг 464,88тг 929,76
2000+тг 455,94тг 911,88

Техническая документация

Характеристики

Brand

Infineon

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

50 A

Максимальное напряжение сток-исток

150 В

Тип корпуса

D2PAK (TO-263)

Серия

OptiMOS 3

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

20 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

4V

Минимальное пороговое напряжение включения

2V

Максимальное рассеяние мощности

150 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Количество элементов на ИС

1

Длина

10.31мм

Максимальная рабочая температура

+175 °C

Типичный заряд затвора при Vgs

23 нКл при 10 В

Ширина

9.45мм

Материал транзистора

Кремний

Высота

4.57мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Информация о товаре

Infineon OptiMOS™3 Power MOSFETs, 100V and over

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.