Infineon IPB17N25S3100ATMA1 MOSFET
Техническая документация
Характеристики
Brand
InfineonТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
17 A
Максимальное напряжение сток-исток
250 В
Серия
OptiMOS-T
Тип корпуса
D2PAK (TO-263)
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
100 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
4V
Минимальное пороговое напряжение включения
2V
Максимальное рассеяние мощности
107 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Ширина
9.25мм
Количество элементов на ИС
1
Максимальная рабочая температура
+175 °C
Материал транзистора
Кремний
Длина
10мм
Типичный заряд затвора при Vgs
14 нКл при 10 В
Высота
4.4мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Страна происхождения
China
Информация о товаре
Infineon OptiMOS™T Power MOSFETs
OptiMOS™ products are available in high performance packages to tackle the most challenging applications giving full flexibility in limited spaces. These Infineon products are designed to meet and exceed the energy efficiency and power density requirements of the sharpened next generation voltage regulation standards in computing applications.
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
P.O.A.
1000
P.O.A.
1000
Техническая документация
Характеристики
Brand
InfineonТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
17 A
Максимальное напряжение сток-исток
250 В
Серия
OptiMOS-T
Тип корпуса
D2PAK (TO-263)
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
100 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
4V
Минимальное пороговое напряжение включения
2V
Максимальное рассеяние мощности
107 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Ширина
9.25мм
Количество элементов на ИС
1
Максимальная рабочая температура
+175 °C
Материал транзистора
Кремний
Длина
10мм
Типичный заряд затвора при Vgs
14 нКл при 10 В
Высота
4.4мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Страна происхождения
China
Информация о товаре
Infineon OptiMOS™T Power MOSFETs
OptiMOS™ products are available in high performance packages to tackle the most challenging applications giving full flexibility in limited spaces. These Infineon products are designed to meet and exceed the energy efficiency and power density requirements of the sharpened next generation voltage regulation standards in computing applications.
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.