Infineon OptiMOS™ -T2 N-Channel MOSFET, 120 A, 60 V, 3-Pin D2PAK IPB120N06S4H1ATMA2

Код товара RS: 218-3033Бренд: InfineonПарт-номер производителя: IPB120N06S4H1ATMA2
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

120 A

Максимальное напряжение сток-исток

60 В

Серия

OptiMOS T2

Тип корпуса

D2PAK (TO-263)

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

0.002 Ω

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

4V

Количество элементов на ИС

1

Материал транзистора

Кремний

P.O.A.

Each (In a Pack of 5) (ex VAT)

Infineon OptiMOS™ -T2 N-Channel MOSFET, 120 A, 60 V, 3-Pin D2PAK IPB120N06S4H1ATMA2
Select packaging type

P.O.A.

Each (In a Pack of 5) (ex VAT)

Infineon OptiMOS™ -T2 N-Channel MOSFET, 120 A, 60 V, 3-Pin D2PAK IPB120N06S4H1ATMA2

Информация о наличии не успела загрузиться

Select packaging type

Информация о наличии не успела загрузиться

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

120 A

Максимальное напряжение сток-исток

60 В

Серия

OptiMOS T2

Тип корпуса

D2PAK (TO-263)

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

0.002 Ω

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

4V

Количество элементов на ИС

1

Материал транзистора

Кремний