Infineon OptiMOS FD N-Channel MOSFET, 84 A, 200 V, 3-Pin D2PAK IPB117N20NFDATMA1

Код товара RS: 166-0877Бренд: InfineonПарт-номер производителя: IPB117N20NFDATMA1
brand-logo
Просмотреть все в МОП-транзисторы

Техническая документация

Характеристики

Brand

Infineon

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

84 А

Максимальное напряжение сток-исток

200 В

Серия

OptiMOS FD

Тип корпуса

D2PAK (TO-263)

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

11,7 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

4V

Минимальное пороговое напряжение включения

2V

Максимальное рассеяние мощности

300 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Количество элементов на ИС

1

Ширина

9.45мм

Длина

10.31мм

Типичный заряд затвора при Vgs

65 нКл при 10 В

Материал транзистора

Кремний

Максимальная рабочая температура

+170 °C

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Прямое напряжение диода

1.2V

Высота

4.57мм

Страна происхождения

Malaysia

Информация о товаре

Infineon OptiMOS™ FD Power MOSFET

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

P.O.A.

Infineon OptiMOS FD N-Channel MOSFET, 84 A, 200 V, 3-Pin D2PAK IPB117N20NFDATMA1

1

Доступно в кратности 1000
1P.O.A.
1001P.O.A.
2001P.O.A.
3001P.O.A.
4001P.O.A.
5001P.O.A.
6001P.O.A.
7001P.O.A.
8001P.O.A.
9001P.O.A.
10001P.O.A.
11001P.O.A.
12001P.O.A.
13001P.O.A.
14001P.O.A.

P.O.A.

Infineon OptiMOS FD N-Channel MOSFET, 84 A, 200 V, 3-Pin D2PAK IPB117N20NFDATMA1

Информация о наличии не успела загрузиться

1

Доступно в кратности 1000
1P.O.A.
1001P.O.A.
2001P.O.A.
3001P.O.A.
4001P.O.A.
5001P.O.A.
6001P.O.A.
7001P.O.A.
8001P.O.A.
9001P.O.A.
10001P.O.A.
11001P.O.A.
12001P.O.A.
13001P.O.A.
14001P.O.A.

Информация о наличии не успела загрузиться

Техническая документация

Характеристики

Brand

Infineon

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

84 А

Максимальное напряжение сток-исток

200 В

Серия

OptiMOS FD

Тип корпуса

D2PAK (TO-263)

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

11,7 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

4V

Минимальное пороговое напряжение включения

2V

Максимальное рассеяние мощности

300 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Количество элементов на ИС

1

Ширина

9.45мм

Длина

10.31мм

Типичный заряд затвора при Vgs

65 нКл при 10 В

Материал транзистора

Кремний

Максимальная рабочая температура

+170 °C

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Прямое напряжение диода

1.2V

Высота

4.57мм

Страна происхождения

Malaysia

Информация о товаре

Infineon OptiMOS™ FD Power MOSFET

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.