Infineon IPB100N10S305ATMA1 MOSFET

Код товара RS: 823-5649Бренд: InfineonПарт-номер производителя: IPB100N10S305ATMA1
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

100 A

Максимальное напряжение сток-исток

100 В

Серия

OptiMOS 3

Тип корпуса

D2PAK (TO-263)

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

4,8 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

4V

Минимальное пороговое напряжение включения

2V

Максимальное рассеяние мощности

300 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

1

Длина

10мм

Типичный заряд затвора при Vgs

135 нКл при 10 В

Максимальная рабочая температура

+175 °C

Ширина

9.25мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Высота

4.4мм

Страна происхождения

Malaysia

Информация о товаре

Infineon OptiMOS™3 Power MOSFETs, 100V and over

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

тг 2 127,72

тг 1 063,86 Each (In a Pack of 2) (ex VAT)

Infineon IPB100N10S305ATMA1 MOSFET
Select packaging type

тг 2 127,72

тг 1 063,86 Each (In a Pack of 2) (ex VAT)

Infineon IPB100N10S305ATMA1 MOSFET

Информация о наличии не успела загрузиться

Select packaging type

Информация о наличии не успела загрузиться

КоличествоЦена единицыPer Упаковка
2 - 18тг 1 063,86тг 2 127,72
20 - 98тг 858,24тг 1 716,48
100 - 498тг 688,38тг 1 376,76
500 - 998тг 598,98тг 1 197,96
1000+тг 572,16тг 1 144,32

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

100 A

Максимальное напряжение сток-исток

100 В

Серия

OptiMOS 3

Тип корпуса

D2PAK (TO-263)

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

4,8 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

4V

Минимальное пороговое напряжение включения

2V

Максимальное рассеяние мощности

300 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

1

Длина

10мм

Типичный заряд затвора при Vgs

135 нКл при 10 В

Максимальная рабочая температура

+175 °C

Ширина

9.25мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Высота

4.4мм

Страна происхождения

Malaysia

Информация о товаре

Infineon OptiMOS™3 Power MOSFETs, 100V and over

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.