Техническая документация
Характеристики
Brand
InfineonТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
100 A
Максимальное напряжение сток-исток
100 В
Серия
OptiMOS 3
Тип корпуса
D2PAK (TO-263)
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
4,8 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
4V
Минимальное пороговое напряжение включения
2V
Максимальное рассеяние мощности
300 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Длина
10мм
Типичный заряд затвора при Vgs
135 нКл при 10 В
Максимальная рабочая температура
+175 °C
Ширина
9.25мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Высота
4.4мм
Страна происхождения
Malaysia
Информация о товаре
Infineon OptiMOS™3 Power MOSFETs, 100V and over
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
тг 2 127,72
тг 1 063,86 Each (In a Pack of 2) (ex VAT)
Стандартная упаковка
2
тг 2 127,72
тг 1 063,86 Each (In a Pack of 2) (ex VAT)
Информация о наличии не успела загрузиться
Стандартная упаковка
2
Информация о наличии не успела загрузиться
| Количество | Цена единицы | Per Упаковка |
|---|---|---|
| 2 - 18 | тг 1 063,86 | тг 2 127,72 |
| 20 - 98 | тг 858,24 | тг 1 716,48 |
| 100 - 498 | тг 688,38 | тг 1 376,76 |
| 500 - 998 | тг 598,98 | тг 1 197,96 |
| 1000+ | тг 572,16 | тг 1 144,32 |
Техническая документация
Характеристики
Brand
InfineonТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
100 A
Максимальное напряжение сток-исток
100 В
Серия
OptiMOS 3
Тип корпуса
D2PAK (TO-263)
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
4,8 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
4V
Минимальное пороговое напряжение включения
2V
Максимальное рассеяние мощности
300 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Длина
10мм
Типичный заряд затвора при Vgs
135 нКл при 10 В
Максимальная рабочая температура
+175 °C
Ширина
9.25мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Высота
4.4мм
Страна происхождения
Malaysia
Информация о товаре
Infineon OptiMOS™3 Power MOSFETs, 100V and over
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
