Infineon IPB065N15N3GATMA1 MOSFET

Код товара RS: 178-7444Бренд: InfineonПарт-номер производителя: IPB065N15N3GATMA1
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

130 A

Максимальное напряжение сток-исток

150 В

Тип корпуса

D2PAK (TO-263)

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

7

Максимальное сопротивление сток-исток

6,8 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное рассеяние мощности

300 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Ширина

4.57мм

Количество элементов на ИС

1

Материал транзистора

Кремний

Длина

10.31мм

Типичный заряд затвора при Vgs

70 нКл при 10 В

Максимальная рабочая температура

+175 °C

Высота

9.45мм

Серия

OptiMOS 3

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Прямое напряжение диода

1.2V

Информация о товаре

Infineon OptiMOS™3 Power MOSFETs, 100V and over

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

Infineon IPB065N15N3GATMA1 MOSFET

P.O.A.

Infineon IPB065N15N3GATMA1 MOSFET
Информация о наличии не успела загрузиться

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

130 A

Максимальное напряжение сток-исток

150 В

Тип корпуса

D2PAK (TO-263)

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

7

Максимальное сопротивление сток-исток

6,8 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное рассеяние мощности

300 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Ширина

4.57мм

Количество элементов на ИС

1

Материал транзистора

Кремний

Длина

10.31мм

Типичный заряд затвора при Vgs

70 нКл при 10 В

Максимальная рабочая температура

+175 °C

Высота

9.45мм

Серия

OptiMOS 3

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Прямое напряжение диода

1.2V

Информация о товаре

Infineon OptiMOS™3 Power MOSFETs, 100V and over

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.