Infineon IPB036N12N3GATMA1 MOSFET

Код товара RS: 754-5428Бренд: InfineonПарт-номер производителя: IPB036N12N3GATMA1
brand-logo
Просмотреть все в МОП-транзисторы

Техническая документация

Характеристики

Brand

Infineon

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

180 A

Максимальное напряжение сток-исток

120 В

Тип корпуса

D2PAK (TO-263)

Серия

OptiMOS 3

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

7

Максимальное сопротивление сток-исток

3,6 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

4V

Минимальное пороговое напряжение включения

2V

Максимальное рассеяние мощности

300 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Максимальная рабочая температура

+175 °C

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

1

Длина

10.31мм

Типичный заряд затвора при Vgs

158 нКл при 10 В

Ширина

9.45мм

Высота

4.57мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Информация о товаре

Infineon OptiMOS™3 Power MOSFETs, 100V and over

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

тг 1 993,62

тг 1 993,62 Each (ex VAT)

Infineon IPB036N12N3GATMA1 MOSFET
Select packaging type

Стандартная упаковка

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 1.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 1.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

1

Доступно в кратности 1
1тг 1 993,62
2тг 3 987,24
3тг 5 980,86
4тг 7 974,48
5тг 9 968,10
6тг 11 961,72
7тг 13 955,34
8тг 15 948,96
9тг 17 942,58
10тг 19 936,20
11тг 21 929,82
12тг 23 923,44
13тг 25 917,06
14тг 27 910,68
15тг 29 904,30

тг 1 993,62

тг 1 993,62 Each (ex VAT)

Infineon IPB036N12N3GATMA1 MOSFET

Информация о наличии не успела загрузиться

Select packaging type

Стандартная упаковка

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 1.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 1.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

1

Доступно в кратности 1
1тг 1 993,62
2тг 3 987,24
3тг 5 980,86
4тг 7 974,48
5тг 9 968,10
6тг 11 961,72
7тг 13 955,34
8тг 15 948,96
9тг 17 942,58
10тг 19 936,20
11тг 21 929,82
12тг 23 923,44
13тг 25 917,06
14тг 27 910,68
15тг 29 904,30

Информация о наличии не успела загрузиться

КоличествоЦена единицы
1 - 24тг 1 993,62
25 - 99тг 1 595,79
100 - 499тг 1 457,22
500 - 999тг 1 242,66
1000+тг 1 215,84

Техническая документация

Характеристики

Brand

Infineon

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

180 A

Максимальное напряжение сток-исток

120 В

Тип корпуса

D2PAK (TO-263)

Серия

OptiMOS 3

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

7

Максимальное сопротивление сток-исток

3,6 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

4V

Минимальное пороговое напряжение включения

2V

Максимальное рассеяние мощности

300 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Максимальная рабочая температура

+175 °C

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

1

Длина

10.31мм

Типичный заряд затвора при Vgs

158 нКл при 10 В

Ширина

9.45мм

Высота

4.57мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Информация о товаре

Infineon OptiMOS™3 Power MOSFETs, 100V and over

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.