Infineon IPB017N06N3GATMA1 MOSFET
Техническая документация
Характеристики
Brand
InfineonТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
180 A
Максимальное напряжение сток-исток
60 В
Тип корпуса
D2PAK (TO-263)
Серия
OptiMOS 3
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
7
Максимальное сопротивление сток-исток
1,7 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
4V
Минимальное пороговое напряжение включения
2V
Максимальное рассеяние мощности
250 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Максимальная рабочая температура
+175 °C
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Длина
10.31мм
Типичный заряд затвора при Vgs
206 нКл при 10 В
Ширина
9.45мм
Высота
4.57мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Информация о товаре
Infineon OptiMOS™3 Power MOSFETs, 60 to 80V
OptiMOS™ products are available in high performance packages to tackle the most challenging applications giving full flexibility in limited spaces. These Infineon products are designed to meet and exceed the energy efficiency and power density requirements of the sharpened next generation voltage regulation standards in computing applications.
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
тг 1 072,80
тг 1 072,80 Each (ex VAT)
Стандартная упаковка
1
тг 1 072,80
тг 1 072,80 Each (ex VAT)
Стандартная упаковка
1
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
| Количество | Цена единицы |
|---|---|
| 1 - 24 | тг 1 072,80 |
| 25 - 99 | тг 952,11 |
| 100 - 499 | тг 867,18 |
| 500 - 999 | тг 804,60 |
| 1000+ | тг 791,19 |
Техническая документация
Характеристики
Brand
InfineonТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
180 A
Максимальное напряжение сток-исток
60 В
Тип корпуса
D2PAK (TO-263)
Серия
OptiMOS 3
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
7
Максимальное сопротивление сток-исток
1,7 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
4V
Минимальное пороговое напряжение включения
2V
Максимальное рассеяние мощности
250 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Максимальная рабочая температура
+175 °C
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Длина
10.31мм
Типичный заряд затвора при Vgs
206 нКл при 10 В
Ширина
9.45мм
Высота
4.57мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Информация о товаре
Infineon OptiMOS™3 Power MOSFETs, 60 to 80V
OptiMOS™ products are available in high performance packages to tackle the most challenging applications giving full flexibility in limited spaces. These Infineon products are designed to meet and exceed the energy efficiency and power density requirements of the sharpened next generation voltage regulation standards in computing applications.
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.