Infineon OptiMOS™ 3 N-Channel MOSFET Transistor & Diode, 12 A, 40 V, 3-Pin D2PAK IPB015N04NGATMA1

Код товара RS: 220-7373Бренд: InfineonПарт-номер производителя: IPB015N04NGATMA1
brand-logo
Просмотреть все в МОП-транзисторы

Техническая документация

Характеристики

Brand

Infineon

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

12 A

Максимальное напряжение сток-исток

40 В

Серия

OptiMOS 3

Тип корпуса

D2PAK (TO-263)

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

0.0015 O

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

4V

Количество элементов на ИС

1

P.O.A.

Each (On a Reel of 1000) (ex VAT)

Infineon OptiMOS™ 3 N-Channel MOSFET Transistor & Diode, 12 A, 40 V, 3-Pin D2PAK IPB015N04NGATMA1

1000

Доступно в кратности 1000
1000P.O.A.
2000P.O.A.
3000P.O.A.
4000P.O.A.
5000P.O.A.
6000P.O.A.
7000P.O.A.
8000P.O.A.
9000P.O.A.
10000P.O.A.
11000P.O.A.
12000P.O.A.
13000P.O.A.
14000P.O.A.
15000P.O.A.

P.O.A.

Each (On a Reel of 1000) (ex VAT)

Infineon OptiMOS™ 3 N-Channel MOSFET Transistor & Diode, 12 A, 40 V, 3-Pin D2PAK IPB015N04NGATMA1

Информация о наличии не успела загрузиться

1000

Доступно в кратности 1000
1000P.O.A.
2000P.O.A.
3000P.O.A.
4000P.O.A.
5000P.O.A.
6000P.O.A.
7000P.O.A.
8000P.O.A.
9000P.O.A.
10000P.O.A.
11000P.O.A.
12000P.O.A.
13000P.O.A.
14000P.O.A.
15000P.O.A.

Информация о наличии не успела загрузиться

Техническая документация

Характеристики

Brand

Infineon

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

12 A

Максимальное напряжение сток-исток

40 В

Серия

OptiMOS 3

Тип корпуса

D2PAK (TO-263)

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

0.0015 O

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

4V

Количество элементов на ИС

1