Infineon Dual SiC N-Channel MOSFET, 190 A, 60 V, 3-Pin PG-TO263-3 IPB013N06NF2SATMA1

Код товара RS: 262-5846Бренд: InfineonПарт-номер производителя: IPB013N06NF2SATMA1
brand-logo
Просмотреть все в МОП-транзисторы

Техническая документация

Характеристики

Brand

Infineon

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

190 A

Максимальное напряжение сток-исток

60 В

Тип корпуса

PG-TO263-3

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Номер канала

Поднятие

Материал транзистора

SiC

Количество элементов на ИС

2

P.O.A.

Each (On a Reel of 800) (ex VAT)

Infineon Dual SiC N-Channel MOSFET, 190 A, 60 V, 3-Pin PG-TO263-3 IPB013N06NF2SATMA1

800

Доступно в кратности 800
800P.O.A.
1600P.O.A.
2400P.O.A.
3200P.O.A.
4000P.O.A.
4800P.O.A.
5600P.O.A.
6400P.O.A.
7200P.O.A.
8000P.O.A.
8800P.O.A.
9600P.O.A.
10400P.O.A.
11200P.O.A.
12000P.O.A.

P.O.A.

Each (On a Reel of 800) (ex VAT)

Infineon Dual SiC N-Channel MOSFET, 190 A, 60 V, 3-Pin PG-TO263-3 IPB013N06NF2SATMA1

Информация о наличии не успела загрузиться

800

Доступно в кратности 800
800P.O.A.
1600P.O.A.
2400P.O.A.
3200P.O.A.
4000P.O.A.
4800P.O.A.
5600P.O.A.
6400P.O.A.
7200P.O.A.
8000P.O.A.
8800P.O.A.
9600P.O.A.
10400P.O.A.
11200P.O.A.
12000P.O.A.

Информация о наличии не успела загрузиться

Техническая документация

Характеристики

Brand

Infineon

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

190 A

Максимальное напряжение сток-исток

60 В

Тип корпуса

PG-TO263-3

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Номер канала

Поднятие

Материал транзистора

SiC

Количество элементов на ИС

2