Техническая документация
Характеристики
Brand
InfineonТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
10,3 A
Максимальное напряжение сток-исток
600 В
Тип корпуса
TO-220FP
Серия
CoolMOS CE
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
1,4 Ω
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
3.5V
Минимальное пороговое напряжение включения
2.5V
Максимальное рассеяние мощности
28 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-30 В, +30 В
Ширина
4.9мм
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Длина
11.3мм
Количество элементов на ИС
1
Типичный заряд затвора при Vgs
20,5 нКл при 10 В
Высота
16.27мм
Прямое напряжение диода
0.9V
Минимальная рабочая температура
-40 °C
Страна происхождения
China
Информация о товаре
Infineon CoolMOS™ CE Power MOSFET
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
P.O.A.
450
P.O.A.
450
Техническая документация
Характеристики
Brand
InfineonТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
10,3 A
Максимальное напряжение сток-исток
600 В
Тип корпуса
TO-220FP
Серия
CoolMOS CE
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
1,4 Ω
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
3.5V
Минимальное пороговое напряжение включения
2.5V
Максимальное рассеяние мощности
28 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-30 В, +30 В
Ширина
4.9мм
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Длина
11.3мм
Количество элементов на ИС
1
Типичный заряд затвора при Vgs
20,5 нКл при 10 В
Высота
16.27мм
Прямое напряжение диода
0.9V
Минимальная рабочая температура
-40 °C
Страна происхождения
China
Информация о товаре
Infineon CoolMOS™ CE Power MOSFET
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.