Infineon IPAW60R600CEXKSA1 MOSFET

Код товара RS: 133-9787Бренд: InfineonПарт-номер производителя: IPAW60R600CEXKSA1
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

10,3 A

Максимальное напряжение сток-исток

600 В

Тип корпуса

TO-220FP

Серия

CoolMOS CE

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

1,4 Ω

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

3.5V

Минимальное пороговое напряжение включения

2.5V

Максимальное рассеяние мощности

28 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-30 В, +30 В

Ширина

4.9мм

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Длина

11.3мм

Количество элементов на ИС

1

Типичный заряд затвора при Vgs

20,5 нКл при 10 В

Высота

16.27мм

Прямое напряжение диода

0.9V

Минимальная рабочая температура

-40 °C

Страна происхождения

China

Информация о товаре

Infineon CoolMOS™ CE Power MOSFET

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

Infineon IPAW60R600CEXKSA1 MOSFET

P.O.A.

Infineon IPAW60R600CEXKSA1 MOSFET
Информация о наличии не успела загрузиться

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

10,3 A

Максимальное напряжение сток-исток

600 В

Тип корпуса

TO-220FP

Серия

CoolMOS CE

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

1,4 Ω

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

3.5V

Минимальное пороговое напряжение включения

2.5V

Максимальное рассеяние мощности

28 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-30 В, +30 В

Ширина

4.9мм

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Длина

11.3мм

Количество элементов на ИС

1

Типичный заряд затвора при Vgs

20,5 нКл при 10 В

Высота

16.27мм

Прямое напряжение диода

0.9V

Минимальная рабочая температура

-40 °C

Страна происхождения

China

Информация о товаре

Infineon CoolMOS™ CE Power MOSFET

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.