N-Channel MOSFET, 8 A, 800 V, 3+Tab-Pin TO-220FP Infineon IPA80R650CEXKSA1

Код товара RS: 133-9861Бренд: InfineonПарт-номер производителя: IPA80R650CEXKSA1
brand-logo
View all in МОП-транзисторы

Техническая документация

Характеристики

Brand

Infineon

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

8 A

Максимальное напряжение сток-исток

800 В

Тип корпуса

TO-220FP

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

3+Tab

Максимальное сопротивление сток-исток

1,5 Ω

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

3.9V

Минимальное пороговое напряжение включения

2.1V

Максимальное рассеяние мощности

33 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-30 В, +30 В

Ширина

4.9мм

Количество элементов на ИС

1

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Типичный заряд затвора при Vgs

45 нКл при 10 В

Материал транзистора

Кремний

Длина

10.65мм

Высота

16.15мм

Серия

CoolMOS CE

Минимальная рабочая температура

-40 °C

Прямое напряжение диода

1V

Страна происхождения

China

Информация о товаре

Infineon CoolMOS™ CE Power MOSFET

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

N-Channel MOSFET, 8 A, 800 V, 3+Tab-Pin TO-220FP Infineon IPA80R650CEXKSA1

5

Доступно в кратности 5
5P.O.A.
10P.O.A.
15P.O.A.
20P.O.A.
25P.O.A.
30P.O.A.
35P.O.A.
40P.O.A.
45P.O.A.
50P.O.A.
55P.O.A.
60P.O.A.
65P.O.A.
70P.O.A.
75P.O.A.

P.O.A.

N-Channel MOSFET, 8 A, 800 V, 3+Tab-Pin TO-220FP Infineon IPA80R650CEXKSA1
Информация о наличии не успела загрузиться

5

Доступно в кратности 5
5P.O.A.
10P.O.A.
15P.O.A.
20P.O.A.
25P.O.A.
30P.O.A.
35P.O.A.
40P.O.A.
45P.O.A.
50P.O.A.
55P.O.A.
60P.O.A.
65P.O.A.
70P.O.A.
75P.O.A.

Техническая документация

Характеристики

Brand

Infineon

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

8 A

Максимальное напряжение сток-исток

800 В

Тип корпуса

TO-220FP

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

3+Tab

Максимальное сопротивление сток-исток

1,5 Ω

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

3.9V

Минимальное пороговое напряжение включения

2.1V

Максимальное рассеяние мощности

33 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-30 В, +30 В

Ширина

4.9мм

Количество элементов на ИС

1

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Типичный заряд затвора при Vgs

45 нКл при 10 В

Материал транзистора

Кремний

Длина

10.65мм

Высота

16.15мм

Серия

CoolMOS CE

Минимальная рабочая температура

-40 °C

Прямое напряжение диода

1V

Страна происхождения

China

Информация о товаре

Infineon CoolMOS™ CE Power MOSFET

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.