N-Channel MOSFET, 14.7 A, 600 V, 3 + Tab-Pin TO-220FP Infineon IPA60R400CEXKSA1

Код товара RS: 133-9935Бренд: InfineonПарт-номер производителя: IPA60R400CEXKSA1
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

14.7 A

Максимальное напряжение сток-исток

600 В

Тип корпуса

TO-220FP

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

3 + Tab

Максимальное сопротивление сток-исток

890 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

3.5V

Минимальное пороговое напряжение включения

2.5V

Максимальное рассеяние мощности

31 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-30 В, +30 В

Ширина

4.9мм

Количество элементов на ИС

1

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Длина

10.65мм

Типичный заряд затвора при Vgs

32 нКл при 10 В

Высота

16.15мм

Серия

CoolMOS CE

Минимальная рабочая температура

-40 °C

Прямое напряжение диода

0.9V

Страна происхождения

China

Информация о товаре

Infineon CoolMOS™ CE Power MOSFET

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

N-Channel MOSFET, 14.7 A, 600 V, 3 + Tab-Pin TO-220FP Infineon IPA60R400CEXKSA1
Select packaging type

P.O.A.

N-Channel MOSFET, 14.7 A, 600 V, 3 + Tab-Pin TO-220FP Infineon IPA60R400CEXKSA1
Информация о наличии не успела загрузиться
Select packaging type

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

14.7 A

Максимальное напряжение сток-исток

600 В

Тип корпуса

TO-220FP

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

3 + Tab

Максимальное сопротивление сток-исток

890 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

3.5V

Минимальное пороговое напряжение включения

2.5V

Максимальное рассеяние мощности

31 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-30 В, +30 В

Ширина

4.9мм

Количество элементов на ИС

1

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Длина

10.65мм

Типичный заряд затвора при Vgs

32 нКл при 10 В

Высота

16.15мм

Серия

CoolMOS CE

Минимальная рабочая температура

-40 °C

Прямое напряжение диода

0.9V

Страна происхождения

China

Информация о товаре

Infineon CoolMOS™ CE Power MOSFET

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.