Техническая документация
Характеристики
Brand
InfineonТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
16,8 A
Максимальное напряжение сток-исток
600 В
Тип корпуса
TO-220FP
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Число контактов
3 + Tab
Максимальное сопротивление сток-исток
530 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
4.5V
Минимальное пороговое напряжение включения
3.5V
Максимальное рассеяние мощности
33 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-30 В, +30 В
Ширина
4.9мм
Количество элементов на ИС
1
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Материал транзистора
Кремний
Длина
10.65мм
Типичный заряд затвора при Vgs
31 нКл при 10 В
Высота
16.15мм
Серия
CoolMOS P6
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Прямое напряжение диода
0.9V
Страна происхождения
China
Информация о товаре
Infineon CoolMOS™E6/P6 series Power MOSFET
The Infineon range of CoolMOS™E6 and P6 series MOSFETs. These highly efficient devices can be used in several applications including Power Factor Correction (PFC), lighting and consumer devices as well as solar, telecoms and servers.
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
P.O.A.
2
P.O.A.
2
Техническая документация
Характеристики
Brand
InfineonТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
16,8 A
Максимальное напряжение сток-исток
600 В
Тип корпуса
TO-220FP
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Число контактов
3 + Tab
Максимальное сопротивление сток-исток
530 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
4.5V
Минимальное пороговое напряжение включения
3.5V
Максимальное рассеяние мощности
33 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-30 В, +30 В
Ширина
4.9мм
Количество элементов на ИС
1
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Материал транзистора
Кремний
Длина
10.65мм
Типичный заряд затвора при Vgs
31 нКл при 10 В
Высота
16.15мм
Серия
CoolMOS P6
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Прямое напряжение диода
0.9V
Страна происхождения
China
Информация о товаре
Infineon CoolMOS™E6/P6 series Power MOSFET
The Infineon range of CoolMOS™E6 and P6 series MOSFETs. These highly efficient devices can be used in several applications including Power Factor Correction (PFC), lighting and consumer devices as well as solar, telecoms and servers.
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.