Infineon IPA60R190C6XKSA1 MOSFET

Код товара RS: 753-2992Бренд: InfineonПарт-номер производителя: IPA60R190C6XKSA1
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

20 А

Максимальное напряжение сток-исток

650 В

Тип корпуса

TO-220FP

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

190 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

3.5V

Минимальное пороговое напряжение включения

2.5V

Максимальное рассеяние мощности

151 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Типичный заряд затвора при Vgs

63 нКл при 10 В

Количество элементов на ИС

1

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Длина

10.36мм

Ширина

4.57мм

Материал транзистора

Кремний

Серия

CoolMOS C6

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Высота

9.45мм

Информация о товаре

Infineon CoolMOS™C6/C7 Power MOSFET

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

тг 1 023,63

тг 1 023,63 Each (ex VAT)

Infineon IPA60R190C6XKSA1 MOSFET

тг 1 023,63

тг 1 023,63 Each (ex VAT)

Infineon IPA60R190C6XKSA1 MOSFET

Информация о наличии не успела загрузиться

Информация о наличии не успела загрузиться

КоличествоЦена единицы
1 - 24тг 1 023,63
25 - 99тг 822,48
100 - 499тг 750,96
500 - 999тг 670,50
1000+тг 652,62

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

20 А

Максимальное напряжение сток-исток

650 В

Тип корпуса

TO-220FP

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

190 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

3.5V

Минимальное пороговое напряжение включения

2.5V

Максимальное рассеяние мощности

151 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Типичный заряд затвора при Vgs

63 нКл при 10 В

Количество элементов на ИС

1

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Длина

10.36мм

Ширина

4.57мм

Материал транзистора

Кремний

Серия

CoolMOS C6

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Высота

9.45мм

Информация о товаре

Infineon CoolMOS™C6/C7 Power MOSFET

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.