Infineon IPA50R280CEXKSA2 MOSFET

Код товара RS: 145-9322Бренд: InfineonПарт-номер производителя: IPA50R280CEXKSA2
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

13 A

Максимальное напряжение сток-исток

550 В

Серия

CoolMOS CE

Тип корпуса

TO-220

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

280 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное рассеяние мощности

30,4 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-30 В, +30 В

Количество элементов на ИС

1

Ширина

4.9мм

Длина

10.65мм

Типичный заряд затвора при Vgs

32,6 нКл при 10 В

Материал транзистора

Кремний

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Минимальная рабочая температура

-40 °C

Прямое напряжение диода

0.85V

Высота

16.15мм

Страна происхождения

China

Информация о товаре

Infineon CoolMOS™ CE Power MOSFET

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

Вас может заинтересовать
Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

Infineon IPA50R280CEXKSA2 MOSFET

P.O.A.

Infineon IPA50R280CEXKSA2 MOSFET
Информация о наличии не успела загрузиться

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Вас может заинтересовать

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

13 A

Максимальное напряжение сток-исток

550 В

Серия

CoolMOS CE

Тип корпуса

TO-220

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

280 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное рассеяние мощности

30,4 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-30 В, +30 В

Количество элементов на ИС

1

Ширина

4.9мм

Длина

10.65мм

Типичный заряд затвора при Vgs

32,6 нКл при 10 В

Материал транзистора

Кремний

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Минимальная рабочая температура

-40 °C

Прямое напряжение диода

0.85V

Высота

16.15мм

Страна происхождения

China

Информация о товаре

Infineon CoolMOS™ CE Power MOSFET

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

Вас может заинтересовать