N-Channel MOSFET, 24.8 A, 500 V, 3 + Tab-Pin TO-220FP Infineon IPA50R190CEXKSA2

Код товара RS: 133-9893Бренд: InfineonПарт-номер производителя: IPA50R190CEXKSA2
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

24.8 A

Максимальное напряжение сток-исток

500 В

Тип корпуса

TO-220FP

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

3 + Tab

Максимальное сопротивление сток-исток

450 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

3.5V

Минимальное пороговое напряжение включения

2.5V

Максимальное рассеяние мощности

32 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

+30 В

Ширина

4.9мм

Количество элементов на ИС

1

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Длина

10.65мм

Типичный заряд затвора при Vgs

47,2 нКл при 10 В

Высота

16.15мм

Серия

CoolMOS CE

Минимальная рабочая температура

-40 °C

Прямое напряжение диода

0.85V

Страна происхождения

Malaysia

Информация о товаре

Infineon CoolMOS™ CE Power MOSFET

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

N-Channel MOSFET, 24.8 A, 500 V, 3 + Tab-Pin TO-220FP Infineon IPA50R190CEXKSA2
Select packaging type

P.O.A.

N-Channel MOSFET, 24.8 A, 500 V, 3 + Tab-Pin TO-220FP Infineon IPA50R190CEXKSA2
Информация о наличии не успела загрузиться
Select packaging type

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

24.8 A

Максимальное напряжение сток-исток

500 В

Тип корпуса

TO-220FP

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

3 + Tab

Максимальное сопротивление сток-исток

450 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

3.5V

Минимальное пороговое напряжение включения

2.5V

Максимальное рассеяние мощности

32 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

+30 В

Ширина

4.9мм

Количество элементов на ИС

1

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Длина

10.65мм

Типичный заряд затвора при Vgs

47,2 нКл при 10 В

Высота

16.15мм

Серия

CoolMOS CE

Минимальная рабочая температура

-40 °C

Прямое напряжение диода

0.85V

Страна происхождения

Malaysia

Информация о товаре

Infineon CoolMOS™ CE Power MOSFET

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.