Infineon IPA50R140CPXKSA1 MOSFET

Техническая документация
Характеристики
Brand
InfineonТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
23 A
Максимальное напряжение сток-исток
550 В
Тип корпуса
TO-220FP
Серия
CoolMOS CP
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
140 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
3.5V
Минимальное пороговое напряжение включения
2.5V
Максимальное рассеяние мощности
34 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Длина
10.65мм
Ширина
4.85мм
Типичный заряд затвора при Vgs
48 нКл при 10 В
Высота
9.83мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Информация о товаре
Infineon CoolMOS™CP Power MOSFET
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
тг 1 403,58
тг 1 403,58 Each (ex VAT)
Стандартная упаковка
1
тг 1 403,58
тг 1 403,58 Each (ex VAT)
Стандартная упаковка
1
Купить большой партией
Количество | Цена единицы |
---|---|
1 - 24 | тг 1 403,58 |
25 - 99 | тг 1 242,66 |
100 - 499 | тг 1 130,91 |
500 - 999 | тг 1 054,92 |
1000+ | тг 1 032,57 |
Техническая документация
Характеристики
Brand
InfineonТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
23 A
Максимальное напряжение сток-исток
550 В
Тип корпуса
TO-220FP
Серия
CoolMOS CP
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
140 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
3.5V
Минимальное пороговое напряжение включения
2.5V
Максимальное рассеяние мощности
34 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Длина
10.65мм
Ширина
4.85мм
Типичный заряд затвора при Vgs
48 нКл при 10 В
Высота
9.83мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Информация о товаре
Infineon CoolMOS™CP Power MOSFET
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.