Infineon IPA105N15N3GXKSA1 MOSFET

Код товара RS: 145-9340Бренд: InfineonПарт-номер производителя: IPA105N15N3GXKSA1
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

37 A

Максимальное напряжение сток-исток

150 В

Серия

OptiMOS 3

Тип корпуса

TO-220FP

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

11,1 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное рассеяние мощности

40,5 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Количество элементов на ИС

1

Ширина

4.85мм

Длина

10.65мм

Типичный заряд затвора при Vgs

41 нКл при 10 В

Материал транзистора

Кремний

Максимальная рабочая температура

+175 °C

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Прямое напряжение диода

1.2V

Высота

16.15мм

Страна происхождения

Malaysia

Информация о товаре

Infineon OptiMOS™3 Power MOSFETs, 100V and over

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

Infineon IPA105N15N3GXKSA1 MOSFET

P.O.A.

Infineon IPA105N15N3GXKSA1 MOSFET
Информация о наличии не успела загрузиться

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

37 A

Максимальное напряжение сток-исток

150 В

Серия

OptiMOS 3

Тип корпуса

TO-220FP

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

11,1 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное рассеяние мощности

40,5 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Количество элементов на ИС

1

Ширина

4.85мм

Длина

10.65мм

Типичный заряд затвора при Vgs

41 нКл при 10 В

Материал транзистора

Кремний

Максимальная рабочая температура

+175 °C

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Прямое напряжение диода

1.2V

Высота

16.15мм

Страна происхождения

Malaysia

Информация о товаре

Infineon OptiMOS™3 Power MOSFETs, 100V and over

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.