Infineon SiC N-Channel MOSFET, 89 A, 2000 V, 4-Pin PG-TO247-4-PLUS-NT14 IMYH200R024M1HXKSA1

Код товара RS: 284-864PБренд: InfineonПарт-номер производителя: IMYH200R024M1HXKSA1
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

89 A

Максимальное напряжение сток-исток

2000 V

Серия

CoolSiC 2000 V SiC Trench MOSFET

Тип корпуса

PG-TO247-4-PLUS-NT14

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

4

Номер канала

Поднятие

Количество элементов на ИС

1

Материал транзистора

SiC

Страна происхождения

Malaysia

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

Infineon SiC N-Channel MOSFET, 89 A, 2000 V, 4-Pin PG-TO247-4-PLUS-NT14 IMYH200R024M1HXKSA1
Select packaging type

P.O.A.

Infineon SiC N-Channel MOSFET, 89 A, 2000 V, 4-Pin PG-TO247-4-PLUS-NT14 IMYH200R024M1HXKSA1
Информация о наличии не успела загрузиться
Select packaging type

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

89 A

Максимальное напряжение сток-исток

2000 V

Серия

CoolSiC 2000 V SiC Trench MOSFET

Тип корпуса

PG-TO247-4-PLUS-NT14

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

4

Номер канала

Поднятие

Количество элементов на ИС

1

Материал транзистора

SiC

Страна происхождения

Malaysia