Infineon CoolSiC 2000 V SiC Trench MOSFET SiC N-Channel MOSFET, 89 A, 2000 V, 4-Pin PG-TO247-4-PLUS-NT14

Код товара RS: 284-862Бренд: InfineonПарт-номер производителя: IMYH200R024M1HXKSA1
brand-logo
Просмотреть все в МОП-транзисторы

Техническая документация

Характеристики

Brand

Infineon

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

89 A

Максимальное напряжение сток-исток

2000 V

Тип корпуса

PG-TO247-4-PLUS-NT14

Серия

CoolSiC 2000 V SiC Trench MOSFET

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

4

Номер канала

Поднятие

Материал транзистора

SiC

Количество элементов на ИС

1

Страна происхождения

Malaysia

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

Each (In a Tube of 30) (ex VAT)

Infineon CoolSiC 2000 V SiC Trench MOSFET SiC N-Channel MOSFET, 89 A, 2000 V, 4-Pin PG-TO247-4-PLUS-NT14

30

Доступно в кратности 30
30P.O.A.
60P.O.A.
90P.O.A.
120P.O.A.
150P.O.A.
180P.O.A.
210P.O.A.
240P.O.A.
270P.O.A.
300P.O.A.
330P.O.A.
360P.O.A.
390P.O.A.
420P.O.A.
450P.O.A.

P.O.A.

Each (In a Tube of 30) (ex VAT)

Infineon CoolSiC 2000 V SiC Trench MOSFET SiC N-Channel MOSFET, 89 A, 2000 V, 4-Pin PG-TO247-4-PLUS-NT14
Информация о наличии не успела загрузиться

30

Доступно в кратности 30
30P.O.A.
60P.O.A.
90P.O.A.
120P.O.A.
150P.O.A.
180P.O.A.
210P.O.A.
240P.O.A.
270P.O.A.
300P.O.A.
330P.O.A.
360P.O.A.
390P.O.A.
420P.O.A.
450P.O.A.

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Техническая документация

Характеристики

Brand

Infineon

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

89 A

Максимальное напряжение сток-исток

2000 V

Тип корпуса

PG-TO247-4-PLUS-NT14

Серия

CoolSiC 2000 V SiC Trench MOSFET

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

4

Номер канала

Поднятие

Материал транзистора

SiC

Количество элементов на ИС

1

Страна происхождения

Malaysia