Infineon OptiMOS™ 5 N-Channel MOSFET Transistor & Diode, 200 A, 80 V, 8-Pin HSOF-8 IAUT200N08S5N023ATMA1

Код товара RS: 220-7366Бренд: InfineonПарт-номер производителя: IAUT200N08S5N023ATMA1
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

200 A

Максимальное напряжение сток-исток

80 V

Серия

OptiMOS 5

Тип корпуса

PG-HSOF-8

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

8

Максимальное сопротивление сток-исток

0.0023 O

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

3.8V

Количество элементов на ИС

1

P.O.A.

Each (In a Pack of 2) (ex VAT)

Infineon OptiMOS™ 5 N-Channel MOSFET Transistor & Diode, 200 A, 80 V, 8-Pin HSOF-8 IAUT200N08S5N023ATMA1
Select packaging type

P.O.A.

Each (In a Pack of 2) (ex VAT)

Infineon OptiMOS™ 5 N-Channel MOSFET Transistor & Diode, 200 A, 80 V, 8-Pin HSOF-8 IAUT200N08S5N023ATMA1

Информация о наличии не успела загрузиться

Select packaging type

Информация о наличии не успела загрузиться

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

200 A

Максимальное напряжение сток-исток

80 V

Серия

OptiMOS 5

Тип корпуса

PG-HSOF-8

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

8

Максимальное сопротивление сток-исток

0.0023 O

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

3.8V

Количество элементов на ИС

1