Техническая документация
Характеристики
Brand
InfineonТип канала
Dual N
Тип корпуса
Tray
Серия
FZ1000
Тип монтажа
Винтовой монтаж
Номер канала
Опускание
Количество элементов на ИС
1
Материал транзистора
Кремний
Страна происхождения
Hungary
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
Информация о наличии не успела загрузиться
P.O.A.
Dual N-Channel MOSFET Depletion Tray Infineon FZ1000R65KE4NPSA1
1
P.O.A.
Dual N-Channel MOSFET Depletion Tray Infineon FZ1000R65KE4NPSA1
Информация о наличии не успела загрузиться
1
Техническая документация
Характеристики
Brand
InfineonТип канала
Dual N
Тип корпуса
Tray
Серия
FZ1000
Тип монтажа
Винтовой монтаж
Номер канала
Опускание
Количество элементов на ИС
1
Материал транзистора
Кремний
Страна происхождения
Hungary