Dual SiC Dual N-Channel MOSFET, 1.2 kA, 1700 V Depletion Tray Infineon FF1200XTR17T2P5BPSA1

Код товара RS: 277-191Бренд: InfineonПарт-номер производителя: FF1200XTR17T2P5BPSA1
brand-logo
Просмотреть все в МОП-транзисторы

Техническая документация

Характеристики

Brand

Infineon

Тип канала

Dual N

Максимальный непрерывный ток стока

1.2 kA

Максимальное напряжение сток-исток

1700 V

Тип корпуса

Tray

Серия

XHP

Тип монтажа

Винтовой монтаж

Номер канала

Опускание

Количество элементов на ИС

2

Материал транзистора

SiC

Страна происхождения

Germany

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

Dual SiC Dual N-Channel MOSFET, 1.2 kA, 1700 V Depletion Tray Infineon FF1200XTR17T2P5BPSA1

1

Доступно в кратности 1
1P.O.A.
2P.O.A.
3P.O.A.
4P.O.A.
5P.O.A.
6P.O.A.
7P.O.A.
8P.O.A.
9P.O.A.
10P.O.A.
11P.O.A.
12P.O.A.
13P.O.A.
14P.O.A.
15P.O.A.

P.O.A.

Dual SiC Dual N-Channel MOSFET, 1.2 kA, 1700 V Depletion Tray Infineon FF1200XTR17T2P5BPSA1
Информация о наличии не успела загрузиться

1

Доступно в кратности 1
1P.O.A.
2P.O.A.
3P.O.A.
4P.O.A.
5P.O.A.
6P.O.A.
7P.O.A.
8P.O.A.
9P.O.A.
10P.O.A.
11P.O.A.
12P.O.A.
13P.O.A.
14P.O.A.
15P.O.A.

Техническая документация

Характеристики

Brand

Infineon

Тип канала

Dual N

Максимальный непрерывный ток стока

1.2 kA

Максимальное напряжение сток-исток

1700 V

Тип корпуса

Tray

Серия

XHP

Тип монтажа

Винтовой монтаж

Номер канала

Опускание

Количество элементов на ИС

2

Материал транзистора

SiC

Страна происхождения

Germany