Cypress Semiconductor CY7C1021D-10ZSXI SRAM
Техническая документация
Характеристики
Brand
InfineonОбъем памяти
1Мбит
Организация
64К x 16 бит
Количество слов
64k
Количество бит на слово
16бит
Максимальное время произвольного доступа
10нс
Ширина адресной шины
16бит
Частота синхронизации
100МГц
Низкая мощность
Да
Тип синхронизации
Асинхронный
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Тип корпуса
Тонкий корпус с уменьшенным расстоянием между выводами
Число контактов
44
Размеры
18.51 x 10.26 x 1.04мм
Высота
1.04мм
Максимальное рабочее напряжение питания
5,5 В
Ширина
10.26мм
Минимальная рабочая температура
-40 °C
Минимальное рабочее напряжение питания
4,5 В
Максимальная рабочая температура
+85 °C
Длина
18.51мм
Информация о товаре
Asynchronous Static RAM Memory, Cypress Semiconductor
SRAM (Static Random Access Memory)
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
P.O.A.
2
P.O.A.
2
Техническая документация
Характеристики
Brand
InfineonОбъем памяти
1Мбит
Организация
64К x 16 бит
Количество слов
64k
Количество бит на слово
16бит
Максимальное время произвольного доступа
10нс
Ширина адресной шины
16бит
Частота синхронизации
100МГц
Низкая мощность
Да
Тип синхронизации
Асинхронный
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Тип корпуса
Тонкий корпус с уменьшенным расстоянием между выводами
Число контактов
44
Размеры
18.51 x 10.26 x 1.04мм
Высота
1.04мм
Максимальное рабочее напряжение питания
5,5 В
Ширина
10.26мм
Минимальная рабочая температура
-40 °C
Минимальное рабочее напряжение питания
4,5 В
Максимальная рабочая температура
+85 °C
Длина
18.51мм
Информация о товаре