Cypress Semiconductor CY7C1021CV33-12ZSXE SRAM
Техническая документация
Характеристики
Brand
InfineonОбъем памяти
1Мбит
Организация
64К x 16 бит
Количество слов
64K
Количество бит на слово
16бит
Максимальное время произвольного доступа
12нс
Ширина адресной шины
16бит
Частота синхронизации
1МГц
Низкая мощность
Да
Тип синхронизации
Асинхронный
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Тип корпуса
Тонкий корпус с уменьшенным расстоянием между выводами
Число контактов
44
Размеры
18.517 x 10.262 x 1.044мм
Высота
1.044мм
Максимальное рабочее напряжение питания
3,6 В
Ширина
10.262мм
Минимальная рабочая температура
-40 °C
Минимальное рабочее напряжение питания
3 В
Максимальная рабочая температура
+125 °C
Длина
18.517мм
Информация о товаре
Asynchronous Static RAM Memory, Cypress Semiconductor
SRAM (Static Random Access Memory)
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
P.O.A.
2
P.O.A.
2
Техническая документация
Характеристики
Brand
InfineonОбъем памяти
1Мбит
Организация
64К x 16 бит
Количество слов
64K
Количество бит на слово
16бит
Максимальное время произвольного доступа
12нс
Ширина адресной шины
16бит
Частота синхронизации
1МГц
Низкая мощность
Да
Тип синхронизации
Асинхронный
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Тип корпуса
Тонкий корпус с уменьшенным расстоянием между выводами
Число контактов
44
Размеры
18.517 x 10.262 x 1.044мм
Высота
1.044мм
Максимальное рабочее напряжение питания
3,6 В
Ширина
10.262мм
Минимальная рабочая температура
-40 °C
Минимальное рабочее напряжение питания
3 В
Максимальная рабочая температура
+125 °C
Длина
18.517мм
Информация о товаре