Cypress Semiconductor CY62148ELL-55SXI SRAM

Код товара RS: 124-2941Бренд: InfineonПарт-номер производителя: CY62148ELL-55SXI
brand-logo
View all in SRAM

Техническая документация

Характеристики

Brand

Infineon

Объем памяти

4Мбит

Организация

512К x 8 бит

Количество слов

512K

Количество бит на слово

8бит

Максимальное время произвольного доступа

45нс

Ширина адресной шины

8бит

Частота синхронизации

1МГц

Низкая мощность

Да

Тип синхронизации

Асинхронный

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Тип корпуса

SOIC

Число контактов

32

Размеры

20.75 x 11.43 x 2.81мм

Высота

2.81мм

Максимальное рабочее напряжение питания

5,5 В

Ширина

11.43мм

Минимальная рабочая температура

-40 °C

Минимальное рабочее напряжение питания

4,5 В

Максимальная рабочая температура

+85 °C

Длина

20.75мм

Информация о товаре

Asynchronous Micropower (MoBL) SRAM Memory, Cypress Semiconductor

The MoBL low-power SRAM memory devices have high efficiency and offer industry leading standby power dissipation (maximum) specifications.

SRAM (Static Random Access Memory)

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

Cypress Semiconductor CY62148ELL-55SXI SRAM
Select packaging type

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 2.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 2.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

2

Доступно в кратности 2
2P.O.A.
4P.O.A.
6P.O.A.
8P.O.A.
10P.O.A.
12P.O.A.
14P.O.A.
16P.O.A.
18P.O.A.
20P.O.A.
22P.O.A.
24P.O.A.
26P.O.A.
28P.O.A.
30P.O.A.

P.O.A.

Cypress Semiconductor CY62148ELL-55SXI SRAM
Информация о наличии не успела загрузиться
Select packaging type

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 2.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 2.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

2

Доступно в кратности 2
2P.O.A.
4P.O.A.
6P.O.A.
8P.O.A.
10P.O.A.
12P.O.A.
14P.O.A.
16P.O.A.
18P.O.A.
20P.O.A.
22P.O.A.
24P.O.A.
26P.O.A.
28P.O.A.
30P.O.A.

Техническая документация

Характеристики

Brand

Infineon

Объем памяти

4Мбит

Организация

512К x 8 бит

Количество слов

512K

Количество бит на слово

8бит

Максимальное время произвольного доступа

45нс

Ширина адресной шины

8бит

Частота синхронизации

1МГц

Низкая мощность

Да

Тип синхронизации

Асинхронный

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Тип корпуса

SOIC

Число контактов

32

Размеры

20.75 x 11.43 x 2.81мм

Высота

2.81мм

Максимальное рабочее напряжение питания

5,5 В

Ширина

11.43мм

Минимальная рабочая температура

-40 °C

Минимальное рабочее напряжение питания

4,5 В

Максимальная рабочая температура

+85 °C

Длина

20.75мм

Информация о товаре

Asynchronous Micropower (MoBL) SRAM Memory, Cypress Semiconductor

The MoBL low-power SRAM memory devices have high efficiency and offer industry leading standby power dissipation (maximum) specifications.

SRAM (Static Random Access Memory)