Infineon BTS282ZE3180AATMA2 MOSFET

Код товара RS: 110-7112Бренд: InfineonПарт-номер производителя: BTS282ZE3180AATMA2
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

80 A

Максимальное напряжение сток-исток

49 В

Тип корпуса

D2PAK (TO-263)

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

7

Максимальное сопротивление сток-исток

9,5 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

2V

Минимальное пороговое напряжение включения

1.2V

Максимальное рассеяние мощности

300 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Количество элементов на ИС

1

Максимальная рабочая температура

+175 °C

Длина

10мм

Типичный заряд затвора при Vgs

155 нКл при 10 В

Ширина

9.25мм

Материал транзистора

Кремний

Серия

TEMPFET

Минимальная рабочая температура

-40 °C

Прямое напряжение диода

1.4V

Высота

4.4мм

Информация о товаре

Infineon TEMPFET™ MOSFET with Thermal Switch

The Infineon TEMPFET™ is a logic level N-channel power MOSFET with an integrated on-chip thermal sensor which will operate when the chip temperature exceeds 160°C. The anode and cathode of the temperature sensing thyristor accessible and isolated from the power MOSFET.

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

Infineon BTS282ZE3180AATMA2 MOSFET
Select packaging type

P.O.A.

Infineon BTS282ZE3180AATMA2 MOSFET
Информация о наличии не успела загрузиться
Select packaging type

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

80 A

Максимальное напряжение сток-исток

49 В

Тип корпуса

D2PAK (TO-263)

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

7

Максимальное сопротивление сток-исток

9,5 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

2V

Минимальное пороговое напряжение включения

1.2V

Максимальное рассеяние мощности

300 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Количество элементов на ИС

1

Максимальная рабочая температура

+175 °C

Длина

10мм

Типичный заряд затвора при Vgs

155 нКл при 10 В

Ширина

9.25мм

Материал транзистора

Кремний

Серия

TEMPFET

Минимальная рабочая температура

-40 °C

Прямое напряжение диода

1.4V

Высота

4.4мм

Информация о товаре

Infineon TEMPFET™ MOSFET with Thermal Switch

The Infineon TEMPFET™ is a logic level N-channel power MOSFET with an integrated on-chip thermal sensor which will operate when the chip temperature exceeds 160°C. The anode and cathode of the temperature sensing thyristor accessible and isolated from the power MOSFET.

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.