Техническая документация
Характеристики
Brand
InfineonТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
80 A
Максимальное напряжение сток-исток
49 В
Тип корпуса
D2PAK (TO-263)
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
7
Максимальное сопротивление сток-исток
9,5 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
2V
Минимальное пороговое напряжение включения
1.2V
Максимальное рассеяние мощности
300 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Количество элементов на ИС
1
Максимальная рабочая температура
+175 °C
Длина
10мм
Типичный заряд затвора при Vgs
155 нКл при 10 В
Ширина
9.25мм
Материал транзистора
Кремний
Серия
TEMPFET
Минимальная рабочая температура
-40 °C
Прямое напряжение диода
1.4V
Высота
4.4мм
Информация о товаре
Infineon TEMPFET™ MOSFET with Thermal Switch
The Infineon TEMPFET™ is a logic level N-channel power MOSFET with an integrated on-chip thermal sensor which will operate when the chip temperature exceeds 160°C. The anode and cathode of the temperature sensing thyristor accessible and isolated from the power MOSFET.
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
P.O.A.
Стандартная упаковка
4
P.O.A.
Стандартная упаковка
4
Техническая документация
Характеристики
Brand
InfineonТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
80 A
Максимальное напряжение сток-исток
49 В
Тип корпуса
D2PAK (TO-263)
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
7
Максимальное сопротивление сток-исток
9,5 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
2V
Минимальное пороговое напряжение включения
1.2V
Максимальное рассеяние мощности
300 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Количество элементов на ИС
1
Максимальная рабочая температура
+175 °C
Длина
10мм
Типичный заряд затвора при Vgs
155 нКл при 10 В
Ширина
9.25мм
Материал транзистора
Кремний
Серия
TEMPFET
Минимальная рабочая температура
-40 °C
Прямое напряжение диода
1.4V
Высота
4.4мм
Информация о товаре
Infineon TEMPFET™ MOSFET with Thermal Switch
The Infineon TEMPFET™ is a logic level N-channel power MOSFET with an integrated on-chip thermal sensor which will operate when the chip temperature exceeds 160°C. The anode and cathode of the temperature sensing thyristor accessible and isolated from the power MOSFET.
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.