N-Channel MOSFET, 10.9 A, 250 V, 8-Pin PQFN 3 x 3 Infineon BSZ16DN25NS3GATMA1
Техническая документация
Характеристики
Brand
InfineonТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
10.9 A
Максимальное напряжение сток-исток
250 В
Тип корпуса
PQFN 3.3 x 3.3
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
8
Максимальное сопротивление сток-исток
0.165 O
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
4V
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Серия
OptiMOS 3
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
P.O.A.
5000
P.O.A.
5000
Техническая документация
Характеристики
Brand
InfineonТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
10.9 A
Максимальное напряжение сток-исток
250 В
Тип корпуса
PQFN 3.3 x 3.3
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
8
Максимальное сопротивление сток-исток
0.165 O
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
4V
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Серия
OptiMOS 3