Silicon N-Channel MOSFET, 20 A, 30 V, 8-Pin PQFN 3 x 3 Infineon BSZ0909NDXTMA1
Техническая документация
Характеристики
Brand
InfineonТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
20 А
Максимальное напряжение сток-исток
30 В
Серия
OptiMOSTM3
Тип корпуса
PQFN 3.3 x 3.3
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
8
Максимальное сопротивление сток-исток
0.018 Ω
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
2V
Количество элементов на ИС
1
Материал транзистора
Кремний
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
P.O.A.
5000
P.O.A.
5000
Техническая документация
Характеристики
Brand
InfineonТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
20 А
Максимальное напряжение сток-исток
30 В
Серия
OptiMOSTM3
Тип корпуса
PQFN 3.3 x 3.3
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
8
Максимальное сопротивление сток-исток
0.018 Ω
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
2V
Количество элементов на ИС
1
Материал транзистора
Кремний