Infineon OptiMOS P P-Channel MOSFET, 40 A, 30 V, 8-Pin TSDSON BSZ086P03NS3EGATMA1
Техническая документация
Характеристики
Brand
InfineonТип канала
P
Максимальный непрерывный ток стока
40 A
Максимальное напряжение сток-исток
30 В
Тип корпуса
TSDSON
Серия
OptiMOS P
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
8
Максимальное сопротивление сток-исток
13,4 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
1.9V
Минимальное пороговое напряжение включения
3.1V
Максимальное рассеяние мощности
69 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-25 В, +25 В
Длина
3.4мм
Типичный заряд затвора при Vgs
43,2 нКл при 10 В
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Ширина
3.4мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Высота
1.1мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Информация о товаре
Infineon OptiMOS™P P-Channel Power MOSFETs
The Infineon OptiMOS™ P-Channel power MOSFETs are designed to give enhanced features meeting quality performances. Features include ultra-low switching loss, on-state resistance, Avalanche ratings as well as being AEC qualified for automotive solutions. Applications include dc-dc, motor control, automotive and eMobility.
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
тг 5 900,40
тг 295,02 Each (In a Pack of 20) (ex VAT)
Стандартная упаковка
20
тг 5 900,40
тг 295,02 Each (In a Pack of 20) (ex VAT)
Информация о наличии не успела загрузиться
Стандартная упаковка
20
Информация о наличии не успела загрузиться
| Количество | Цена единицы | Per Упаковка |
|---|---|---|
| 20 - 480 | тг 295,02 | тг 5 900,40 |
| 500 - 980 | тг 201,15 | тг 4 023,00 |
| 1000 - 2480 | тг 183,27 | тг 3 665,40 |
| 2500 - 4980 | тг 178,80 | тг 3 576,00 |
| 5000+ | тг 174,33 | тг 3 486,60 |
Техническая документация
Характеристики
Brand
InfineonТип канала
P
Максимальный непрерывный ток стока
40 A
Максимальное напряжение сток-исток
30 В
Тип корпуса
TSDSON
Серия
OptiMOS P
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
8
Максимальное сопротивление сток-исток
13,4 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
1.9V
Минимальное пороговое напряжение включения
3.1V
Максимальное рассеяние мощности
69 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-25 В, +25 В
Длина
3.4мм
Типичный заряд затвора при Vgs
43,2 нКл при 10 В
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Ширина
3.4мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Высота
1.1мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Информация о товаре
Infineon OptiMOS™P P-Channel Power MOSFETs
The Infineon OptiMOS™ P-Channel power MOSFETs are designed to give enhanced features meeting quality performances. Features include ultra-low switching loss, on-state resistance, Avalanche ratings as well as being AEC qualified for automotive solutions. Applications include dc-dc, motor control, automotive and eMobility.
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.