Infineon OptiMOS™ N-Channel MOSFET, 40 A, 25 V, 8-Pin TSDSON BSZ060NE2LSATMA1
Техническая документация
Характеристики
Brand
InfineonТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
40 A
Максимальное напряжение сток-исток
25 В
Серия
OptiMOS
Тип корпуса
TSDSON
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
8
Максимальное сопротивление сток-исток
8,1 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
2V
Минимальное пороговое напряжение включения
1.2V
Максимальное рассеяние мощности
26 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Ширина
3.4мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Длина
3.4мм
Типичный заряд затвора при Vgs
9,1 нКл при 10 В
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Высота
1.1мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Информация о товаре
Infineon OptiMOS™ Power MOSFET Family
OptiMOS™ products are available in high performance packages to tackle the most challenging applications giving full flexibility in limited spaces. These Infineon products are designed to meet and exceed the energy efficiency and power density requirements of the sharpened next generation voltage regulation standards in computing applications.
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
тг 8 046,00
тг 321,84 Each (In a Pack of 25) (ex VAT)
Стандартная упаковка
25
тг 8 046,00
тг 321,84 Each (In a Pack of 25) (ex VAT)
Информация о наличии не успела загрузиться
Стандартная упаковка
25
Информация о наличии не успела загрузиться
| Количество | Цена единицы | Per Упаковка |
|---|---|---|
| 25 - 475 | тг 321,84 | тг 8 046,00 |
| 500 - 975 | тг 210,09 | тг 5 252,25 |
| 1000 - 2475 | тг 169,86 | тг 4 246,50 |
| 2500 - 4975 | тг 138,57 | тг 3 464,25 |
| 5000+ | тг 134,10 | тг 3 352,50 |
Техническая документация
Характеристики
Brand
InfineonТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
40 A
Максимальное напряжение сток-исток
25 В
Серия
OptiMOS
Тип корпуса
TSDSON
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
8
Максимальное сопротивление сток-исток
8,1 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
2V
Минимальное пороговое напряжение включения
1.2V
Максимальное рассеяние мощности
26 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Ширина
3.4мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Длина
3.4мм
Типичный заряд затвора при Vgs
9,1 нКл при 10 В
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Высота
1.1мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Информация о товаре
Infineon OptiMOS™ Power MOSFET Family
OptiMOS™ products are available in high performance packages to tackle the most challenging applications giving full flexibility in limited spaces. These Infineon products are designed to meet and exceed the energy efficiency and power density requirements of the sharpened next generation voltage regulation standards in computing applications.
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.