Infineon BSS816NWH6327XTSA1 MOSFET

Код товара RS: 110-7113PБренд: InfineonПарт-номер производителя: BSS816NWH6327XTSA1
brand-logo
Просмотреть все в МОП-транзисторы

Техническая документация

Характеристики

Brand

Infineon

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

1,4 А

Максимальное напряжение сток-исток

20 В

Тип корпуса

SOT-323

Серия

OptiMOS 2

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

240 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

0.75V

Минимальное пороговое напряжение включения

0.3V

Максимальное рассеяние мощности

500 мВт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-8 В, +8 В

Материал транзистора

Кремний

Максимальная рабочая температура

+175 °C

Количество элементов на ИС

1

Длина

2мм

Типичный заряд затвора при Vgs

0,6 нКл при 2,5 В

Ширина

1.25мм

Высота

0.8мм

Минимальная рабочая температура

-40 °C

Прямое напряжение диода

1.1V

Информация о товаре

Infineon OptiMOS™2 Power MOSFET Family

Infineon’s OptiMOS™2 N-Channel family offers the industry's lowest on-state resistance inside their voltage group. The Power MOSFET series can be used in many applications including high frequency Telecom, Datacom, solar, low voltage drives and Server Power Supplies. The OptiMOS 2 product family ranges from 20V and over and offers a selection of different package types.

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

P.O.A.

Each (Supplied on a Reel) (ex VAT)

Infineon BSS816NWH6327XTSA1 MOSFET
Select packaging type

Производственная упаковка (Катушка )

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 300.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 300.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

300

Доступно в кратности 300
300P.O.A.
600P.O.A.
900P.O.A.
1200P.O.A.
1500P.O.A.
1800P.O.A.
2100P.O.A.
2400P.O.A.
2700P.O.A.
3000P.O.A.
3300P.O.A.
3600P.O.A.
3900P.O.A.
4200P.O.A.
4500P.O.A.

P.O.A.

Each (Supplied on a Reel) (ex VAT)

Infineon BSS816NWH6327XTSA1 MOSFET

Информация о наличии не успела загрузиться

Select packaging type

Производственная упаковка (Катушка )

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 300.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 300.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

300

Доступно в кратности 300
300P.O.A.
600P.O.A.
900P.O.A.
1200P.O.A.
1500P.O.A.
1800P.O.A.
2100P.O.A.
2400P.O.A.
2700P.O.A.
3000P.O.A.
3300P.O.A.
3600P.O.A.
3900P.O.A.
4200P.O.A.
4500P.O.A.

Информация о наличии не успела загрузиться

Техническая документация

Характеристики

Brand

Infineon

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

1,4 А

Максимальное напряжение сток-исток

20 В

Тип корпуса

SOT-323

Серия

OptiMOS 2

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

240 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

0.75V

Минимальное пороговое напряжение включения

0.3V

Максимальное рассеяние мощности

500 мВт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-8 В, +8 В

Материал транзистора

Кремний

Максимальная рабочая температура

+175 °C

Количество элементов на ИС

1

Длина

2мм

Типичный заряд затвора при Vgs

0,6 нКл при 2,5 В

Ширина

1.25мм

Высота

0.8мм

Минимальная рабочая температура

-40 °C

Прямое напряжение диода

1.1V

Информация о товаре

Infineon OptiMOS™2 Power MOSFET Family

Infineon’s OptiMOS™2 N-Channel family offers the industry's lowest on-state resistance inside their voltage group. The Power MOSFET series can be used in many applications including high frequency Telecom, Datacom, solar, low voltage drives and Server Power Supplies. The OptiMOS 2 product family ranges from 20V and over and offers a selection of different package types.

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.