Infineon OptiMOS™ 2 N-Channel MOSFET, 2.3 A, 20 V, 3-Pin SOT-23 BSS806NEH6327XTSA1
Техническая документация
Характеристики
Brand
InfineonТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
2,3 А
Максимальное напряжение сток-исток
20 В
Серия
OptiMOS 2
Тип корпуса
SOT-23
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
82 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
0.75V
Минимальное пороговое напряжение включения
0.3V
Максимальное рассеяние мощности
500 мВт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-8 В, +8 В
Ширина
1.3мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Длина
2.9мм
Типичный заряд затвора при Vgs
1,7 нКл при 2,5 В
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Высота
1мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Информация о товаре
Infineon OptiMOS™2 Power MOSFET Family
Infineon’s OptiMOS™2 N-Channel family offers the industry's lowest on-state resistance inside their voltage group. The Power MOSFET series can be used in many applications including high frequency Telecom, Datacom, solar, low voltage drives and Server Power Supplies. The OptiMOS 2 product family ranges from 20V and over and offers a selection of different package types.
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
тг 10 057,50
тг 40,23 Each (On a Reel of 250) (ex VAT)
250
тг 10 057,50
тг 40,23 Each (On a Reel of 250) (ex VAT)
Информация о наличии не успела загрузиться
250
Информация о наличии не успела загрузиться
| Количество | Цена единицы | Per Катушка |
|---|---|---|
| 250 - 750 | тг 40,23 | тг 10 057,50 |
| 1000 - 2750 | тг 31,29 | тг 7 822,50 |
| 3000 - 5750 | тг 22,35 | тг 5 587,50 |
| 6000+ | тг 22,35 | тг 5 587,50 |
Техническая документация
Характеристики
Brand
InfineonТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
2,3 А
Максимальное напряжение сток-исток
20 В
Серия
OptiMOS 2
Тип корпуса
SOT-23
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
82 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
0.75V
Минимальное пороговое напряжение включения
0.3V
Максимальное рассеяние мощности
500 мВт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-8 В, +8 В
Ширина
1.3мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Длина
2.9мм
Типичный заряд затвора при Vgs
1,7 нКл при 2,5 В
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Высота
1мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Информация о товаре
Infineon OptiMOS™2 Power MOSFET Family
Infineon’s OptiMOS™2 N-Channel family offers the industry's lowest on-state resistance inside their voltage group. The Power MOSFET series can be used in many applications including high frequency Telecom, Datacom, solar, low voltage drives and Server Power Supplies. The OptiMOS 2 product family ranges from 20V and over and offers a selection of different package types.
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.