P-Channel MOSFET, 310 mA, 20 V, 3-Pin SOT-323 Infineon BSS223PWH6327XTSA1
Техническая документация
Характеристики
Brand
InfineonТип канала
P
Максимальный непрерывный ток стока
310 мА
Максимальное напряжение сток-исток
20 В
Тип корпуса
SOT-323
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
2,1 Ω
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
1.2V
Минимальное пороговое напряжение включения
0.6V
Максимальное рассеяние мощности
250 мВт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-12 В, +12 В
Количество элементов на ИС
1
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Длина
2мм
Типичный заряд затвора при Vgs
0,5 нКл при 4,5 В
Ширина
1.25мм
Материал транзистора
Кремний
Серия
OptiMOS P
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Высота
0.8мм
Информация о товаре
Infineon OptiMOS™P P-Channel Power MOSFETs
The Infineon OptiMOS™ P-Channel power MOSFETs are designed to give enhanced features meeting quality performances. Features include ultra-low switching loss, on-state resistance, Avalanche ratings as well as being AEC qualified for automotive solutions. Applications include dc-dc, motor control, automotive and eMobility.
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
P.O.A.
500
P.O.A.
500
Купить большой партией
| Количество | Цена единицы |
|---|---|
| 500 - 1000 | P.O.A. |
| 1500 - 2500 | P.O.A. |
| 3000 - 5500 | P.O.A. |
| 6000+ | P.O.A. |
Техническая документация
Характеристики
Brand
InfineonТип канала
P
Максимальный непрерывный ток стока
310 мА
Максимальное напряжение сток-исток
20 В
Тип корпуса
SOT-323
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
2,1 Ω
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
1.2V
Минимальное пороговое напряжение включения
0.6V
Максимальное рассеяние мощности
250 мВт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-12 В, +12 В
Количество элементов на ИС
1
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Длина
2мм
Типичный заряд затвора при Vgs
0,5 нКл при 4,5 В
Ширина
1.25мм
Материал транзистора
Кремний
Серия
OptiMOS P
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Высота
0.8мм
Информация о товаре
Infineon OptiMOS™P P-Channel Power MOSFETs
The Infineon OptiMOS™ P-Channel power MOSFETs are designed to give enhanced features meeting quality performances. Features include ultra-low switching loss, on-state resistance, Avalanche ratings as well as being AEC qualified for automotive solutions. Applications include dc-dc, motor control, automotive and eMobility.
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.