N-Channel MOSFET, 230 mA, 60 V, 3-Pin SOT-23 Infineon BSS138NH6433XTMA1
Техническая документация
Характеристики
Brand
InfineonТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
230 мА
Максимальное напряжение сток-исток
60 В
Серия
SIPMOS
Тип корпуса
SOT-23
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
3,5 Ω
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
1.4V
Минимальное пороговое напряжение включения
0.6V
Максимальное рассеяние мощности
360 мВт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Длина
2.9мм
Типичный заряд затвора при Vgs
1 нКл при 10 В
Количество элементов на ИС
1
Ширина
1.3мм
Материал транзистора
Кремний
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Высота
1мм
Информация о товаре
Infineon SIPMOS® N-Channel MOSFETs
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
P.O.A.
500
P.O.A.
500
Купить большой партией
| Количество | Цена единицы |
|---|---|
| 500 - 500 | P.O.A. |
| 1000 - 2000 | P.O.A. |
| 2500 - 4500 | P.O.A. |
| 5000 - 9500 | P.O.A. |
| 10000+ | P.O.A. |
Техническая документация
Характеристики
Brand
InfineonТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
230 мА
Максимальное напряжение сток-исток
60 В
Серия
SIPMOS
Тип корпуса
SOT-23
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
3,5 Ω
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
1.4V
Минимальное пороговое напряжение включения
0.6V
Максимальное рассеяние мощности
360 мВт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Длина
2.9мм
Типичный заряд затвора при Vgs
1 нКл при 10 В
Количество элементов на ИС
1
Ширина
1.3мм
Материал транзистора
Кремний
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Высота
1мм
Информация о товаре
Infineon SIPMOS® N-Channel MOSFETs
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.